MOSFET N Infineon 29 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HEXFET
- Code commande RS:
- 540-9761
- Numéro d'article Distrelec:
- 303-41-382
- Référence fabricant:
- IRFZ34NPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 unité)*
0,38 €
HT
0,46 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 302 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 215 unité(s) expédiée(s) à partir du 28 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 0,38 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 540-9761
- Numéro d'article Distrelec:
- 303-41-382
- Référence fabricant:
- IRFZ34NPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 29A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 55V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 40mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 68W | |
| Tension directe Vf | 1.6V | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 34nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 10.54mm | |
| Hauteur | 8.77mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 29A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 55V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 40mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 68W | ||
Tension directe Vf 1.6V | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 34nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 10.54mm | ||
Hauteur 8.77mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Infineon HEXFET Series MOSFET, 29A Maximum Continuous Drain Current, 68W Maximum Power Dissipation - IRFZ34NPBF
Ce MOSFET est conçu pour les applications électroniques de pointe, en particulier lorsqu'un rendement élevé et une grande fiabilité sont essentiels. Sa configuration à canal N facilite la commutation et la modulation efficaces des courants électriques dans les systèmes d'alimentation. Avec une tension drain-source maximale de 55V et un courant drain continu de 29A, ce composant est essentiel pour les conceptions à haute performance dans les secteurs de l'automatisation et de l'électricité.
Caractéristiques et avantages
• Résistance ultra-faible à l'enclenchement pour une perte de puissance minimale
• Dissipation de puissance maximale de 68 W pour une fonctionnalité robuste
• La tolérance aux températures élevées (jusqu'à 175°C) garantit des performances à long terme
• Compatible avec le montage à travers le trou pour une intégration facile
• La valeur dynamique dv/dt permet des applications de commutation rapide
• Le transistor à mode d'amélioration améliore l'efficacité du dispositif
Applications
• Utilisé dans les conceptions d'alimentation électrique pour une gestion efficace de l'énergie
• Employé dans le contrôle des moteurs pour une régulation précise de la vitesse
• Adapté à la commutation discrète dans l'électronique grand public
• Appliqué à l'automatisation industrielle pour améliorer la fiabilité des systèmes
• Approprié pour l'automobile nécessitant une puissance élevée
Quel est le courant de vidange continu maximum à 100°C ?
A 100°C, le courant de vidange continu est évalué à 20A, ce qui garantit la fiabilité dans des conditions de température élevée.
Comment la faible résistance à l'enclenchement favorise-t-elle l'efficacité du circuit ?
Un faible RDS(on) réduit les pertes de puissance pendant le fonctionnement, ce qui augmente l'efficacité globale du circuit et minimise la production de chaleur.
Peut-il être utilisé pour des configurations parallèles ?
Oui, la conception permet une mise en parallèle facile, améliorant la gestion du courant pour les applications de haute puissance.
Quelles sont les implications de la tension maximale entre la grille et la source ?
La tension maximale porte-source de ±20V garantit un fonctionnement sûr et protège contre les dommages pendant les activités de commutation standard.
Quel est l'impact de la température sur les performances ?
Avec une plage de températures de fonctionnement allant de -55°C à +175°C, il conserve son intégrité opérationnelle dans des conditions extrêmes, ce qui le rend adapté à une grande variété d'applications.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N Infineon 29 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 29 A 55 V Enrichissement TO-263 HEXFET
- MOSFET N Infineon 110 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 75 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 51 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 49 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 64 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 30 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
