MOSFET canal N Infineon 75 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HEXFET
- Code commande RS:
- 784-0274
- Numéro d'article Distrelec:
- 303-41-270
- Référence fabricant:
- IRF2805PBF
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 unité)*
3,37 €
HT
4,04 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 45 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 novembre 2026
- Plus 1 130 unité(s) expédiée(s) à partir du 23 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 3,37 € |
| 10 - 24 | 3,23 € |
| 25 - 49 | 3,04 € |
| 50 - 99 | 2,87 € |
| 100 + | 2,70 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 784-0274
- Numéro d'article Distrelec:
- 303-41-270
- Référence fabricant:
- IRF2805PBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 75A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 55V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.7mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 330W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 150nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 4.83mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Hauteur | 16.51mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 75A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 55V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.7mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 330W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 150nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 4.83mm | ||
Normes/homologations No | ||
Longueur 10.67mm | ||
Hauteur 16.51mm | ||
Standard automobile Non | ||
MOSFET Infineon de la série HEXFET, courant de vidange continu maximal de 75A, dissipation de puissance maximale de 330W - IRF2805PBF
Ce MOSFET de puissance offre d'excellentes performances pour diverses applications électroniques. Ses spécifications robustes sont conçues pour les environnements industriels, garantissant à la fois la fiabilité et l'efficacité. Avec une faible résistance à l'enclenchement, ce composant offre une capacité de courant élevée, ce qui le rend adapté aux circuits avancés.
Caractéristiques et avantages
• Prend en charge un courant de vidange continu maximum de 75A
• Améliore l'efficacité grâce à un faible RDS(on) de 4,7mΩ
• Compatible avec une tension de source de porte de +20 V/-20 V pour une meilleure flexibilité
• Capable de vitesses de commutation rapides pour répondre aux besoins de performances dynamiques
• Prise en charge des avalanches répétitives pour une meilleure résilience opérationnelle
Applications
• Utilisé dans les entraînements de moteurs industriels pour un contrôle efficace de la puissance
• Convient à la gestion de l'énergie dans les systèmes d'automatisation
• Utilisé dans les systèmes d'énergie renouvelable pour une commutation efficace
• Utilisés dans des outils électriques performants et durables
• Applicable aux systèmes de gestion de la batterie des véhicules électriques
Quelle est la température maximale que ce composant peut supporter ?
Il peut fonctionner dans une plage de température allant de -55°C à +175°C pour des performances dans des conditions extrêmes.
Comment ce MOSFET gère-t-il les applications à courant élevé ?
Il est conçu pour gérer un courant de drainage continu de 75A, ce qui le rend adapté aux demandes de courant élevé.
Peut-il être utilisé dans des applications nécessitant une commutation rapide ?
Oui, ce MOSFET permet des vitesses de commutation rapides, ce qui est idéal pour les applications nécessitant des performances dynamiques.
Ce dispositif peut-il être utilisé dans des convertisseurs de puissance ?
En effet, sa stabilité thermique et sa capacité à gérer des courants élevés le rendent approprié pour les applications d'onduleurs de puissance dans les systèmes d'énergie renouvelable.
Quelles sont les implications de sa faible résistance ?
Le faible RDS(on) réduit les pertes de puissance pendant le fonctionnement, ce qui contribue à améliorer l'efficacité et les performances thermiques.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 75 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 75 A 75 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 31 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET P Infineon 19 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 169 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 64 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 89 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 49 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET