MOSFET canal N Infineon 62 A 55 V, 3 broches, TO-252 HEXFET
- Code commande RS:
- 218-3114
- Référence fabricant:
- IRFR48ZTRLPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 15 unités)*
13,26 €
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 15 + | 0,884 € | 13,26 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 218-3114
- Référence fabricant:
- IRFR48ZTRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 62A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 55V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 11mΩ | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 60nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 91W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 2.39mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 6.22mm | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 62A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 55V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 11mΩ | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 60nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 91W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 2.39mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 6.22mm | ||
Longueur 6.73mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance à canal N simple série Infineon HEXFET. Ce transistor MOSFET de puissance HEXFET® utilise les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium.
Résistance à l'état passant ultra faible
Température d'utilisation de 175 °C
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