MOSFET et Diode canal N Infineon 62 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 HEXFET AEC-Q101

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220-7347
Référence fabricant:
AUIRFR48ZTRL
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET et Diode

Courant continu de Drain maximum Id

62A

Tension Drain Source maximum Vds

55V

Type de Boitier

TO-252

Série

HEXFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

11mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

40nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

91W

Tension directe Vf

1.3V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

6.73mm

Normes/homologations

No

Hauteur

2.39mm

Longueur

6.22mm

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET de puissance Infineon AUIRFR48ZHMT spécialement conçu pour les applications automobiles utilise les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Il est utilisé dans les applications automobiles et une grande variété d'autres applications.

Technologie de traitement avancée

Résistance à l'état passant ultra faible

Température d'utilisation de 175 °C

Commutation rapide

Avalanche répétitive permettant un Tjmax

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