MOSFET et Diode canal N Infineon 62 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 HEXFET AEC-Q101

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220-7347
Référence fabricant:
AUIRFR48ZTRL
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET et Diode

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

62A

Tension Drain Source maximum Vds

55V

Type de Boitier

TO-252

Série

HEXFET

Type de montage

En surface

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

11mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

40nC

Dissipation de puissance maximum Pd

91W

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.3V

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

6.73mm

Normes/homologations

No

Longueur

6.22mm

Hauteur

2.39mm

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor MOSFET de puissance Infineon AUIRFR48ZHMT spécialement conçu pour les applications automobiles utilise les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une très faible résistance par surface de silicium. Il est utilisé dans les applications automobiles et une grande variété d'autres applications.

Technologie de traitement avancée

Résistance à l'état passant ultra faible

Température d'utilisation de 175 °C

Commutation rapide

Avalanche répétitive permettant un Tjmax

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