MOSFET canal N Infineon 31 A 100 V, TO-252 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9404
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-538
- Référence fabricant:
- IRFR3410TRPBF
- Marque:
- Infineon
Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros
Ajoutez 50 de plus pour économiser 9,00 €
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 5 unités)*
8,81 €
HT
10,57 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 890 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* | Économie |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,762 € | 8,81 € | - |
| 50 - 120 | 1,582 € | 7,91 € | 9,00 € |
| 125 - 245 | 1,476 € | 7,38 € | 35,75 € |
| 250 - 495 | 1,378 € | 6,89 € | 96,00 € |
| 500 + | 1,27 € | 6,35 € | 246,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9404
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-40-538
- Référence fabricant:
- IRFR3410TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 31A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 39mΩ | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 37nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 110W | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 31A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 39mΩ | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 37nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 110W | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRFR d'Infineon est un MOSFET IR à canal n simple de 100 V dans un boîtier D Pak. La famille de MOSFET IR utilise des procédés au silicium éprouvés qui offrent aux concepteurs une large gamme de dispositifs pour prendre en charge diverses applications telles que les moteurs c.c., les inverseurs, les SMPS, l'éclairage, les commutateurs de charge, ainsi que les applications alimentées par batterie. Les dispositifs sont disponibles dans une grande variété de boîtiers à montage en surface et à montage traversant avec des empreintes standard pour faciliter la conception.
Structure de cellule planaire pour large SOA
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz
Boîtier à montage en surface standard
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 31 A 100 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 31 A 100 V Enrichissement TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 16 A 100 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 63 A 100 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 56 A 100 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 9.4 A 100 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 10 A 100 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 100 A 20 V, TO-252 HEXFET