MOSFET canal N Infineon 31 A 100 V Enrichissement, 3 broches, TO-252 HEXFET
- Code commande RS:
- 218-3105
- Référence fabricant:
- IRFR3410TRLPBF
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 218-3105
- Référence fabricant:
- IRFR3410TRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 31A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 31Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 110W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 56nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 2.39mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 6.22mm | |
| Longueur | 6.73mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 31A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 31Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 110W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 56nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 2.39mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 6.22mm | ||
Longueur 6.73mm | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance à canal N simple série Infineon HEXFET intégré au boîtier de type DPAK (TO-252). Ce transistor MOSFET est principalement utilisé dans les convertisseurs c.c.-c.c. haute fréquence.
Conforme à la directive RoHS
Température d'utilisation de 175 °C
Commutation rapide
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