MOSFET canal N Infineon 63 A 100 V Enrichissement, TO-252 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9452
- Référence fabricant:
- IRLR3110ZTRPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*
1 206,00 €
HT
1 448,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 2 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2000 + | 0,603 € | 1 206,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9452
- Référence fabricant:
- IRLR3110ZTRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 63A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 16mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | +175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 63A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 16mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum +175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRLR d'Infineon est le mosfet de puissance HEXFET 100 V dans un boîtier D-Pak.
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Le niveau logique est optimisé pour une tension d'entraînement de grille de 10 V, capable d'une tension d'entraînement de grille de 4,5 V
Boîtier d'alimentation à montage en surface standard
Peut être soudé à la vague
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 63 A 100 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 63 A 100 V Enrichissement TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 16 A 100 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 56 A 100 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 31 A 100 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 9.4 A 100 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 100 A 20 V, TO-252 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 10 A 100 V, TO-252 HEXFET
