MOSFET canal N Infineon 63 A 100 V Enrichissement, TO-252 HEXFET

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Code commande RS:
257-9452
Référence fabricant:
IRLR3110ZTRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

63A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TO-252

Série

HEXFET

Type de montage

Traversant

Résistance Drain Source maximum Rds

16mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.3V

Température d'utilisation maximum

+175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET Infineon série HEXFET, tension maximale drain-source de 100 V, courant de drain continu maximal de 63 A - IRLR3110ZTRPBF


Ce MOSFET est un transistor de puissance à montage traversant conçu pour la commutation et la gestion de l'alimentation dans les circuits nécessitant une gestion de courant élevé et une résistance à des températures élevées. Il fonctionne comme un dispositif d'amélioration à canal N adapté aux applications à moyenne tension et est destiné aux installations où un boîtier TO-252 et un montage simple sur circuit imprimé sont préférés.

Caractéristiques et avantages :


• Rds(on) de 16 mΩ réduit les pertes de conduction lors d'un flux de courant élevé
• Les Vds de 100 V prennent en charge les applications de commutation à moyenne tension
• Le courant de drain continu de 63 A permet un fonctionnement à forte charge prolongé
• La plage de température de -55 °C à +175 °C permet un déploiement à haute température
• La tension de grille directe de 1,3 V permet des performances de commande de grille efficaces

Applications


• Convient aux étapes de conversion d'alimentation en courant continu dans les équipements industriels
• Idéal pour la commutation d'entraînement de moteur dans les assemblages compacts
• Utilisé avec les alimentations nécessitant un débit de courant élevé
• Peut être utilisé pour la gestion des batteries dans les systèmes à forte charge
• Adapté pour les essais de contrainte thermique sur les fixations et les plates-formes

Quel type de boîtier utilise-t-il pour le montage sur carte?


Il est fourni dans un boîtier TO‐252 configuré pour un montage traversant, ce qui facilite la stabilité mécanique et la dissipation thermique.

À quel comportement des canaux les concepteurs doivent-ils s'attendre?


Il fonctionne comme un transistor à canal N en mode d'enrichissement, nécessitant un entraînement de porte à source positif pour la conduction.

Comment la capacité de température affecte-t-elle le déploiement?


Le dispositif est spécifié pour fonctionner sur une plage de -55 à +175 °C, ce qui permet une utilisation dans des environnements présentant des variations thermiques importantes.

Ce composant est-il adapté aux projets standard automobiles?


La pièce n'est pas conforme aux normes automobiles et ne doit pas être considérée comme répondant à ces critères de qualification spécifiques.

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