MOSFET canal N Infineon 63 A 100 V Enrichissement, TO-252 HEXFET

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Code commande RS:
257-9452
Référence fabricant:
IRLR3110ZTRPBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

63A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

TO-252

Série

HEXFET

Type de montage

Traversant

Résistance Drain Source maximum Rds

16mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.3V

Température d'utilisation maximum

+175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

La série IRLR d'Infineon est le mosfet de puissance HEXFET 100 V dans un boîtier D-Pak.

Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution

Qualification du produit conformément à la norme JEDEC

Le niveau logique est optimisé pour une tension d'entraînement de grille de 10 V, capable d'une tension d'entraînement de grille de 4,5 V

Boîtier d'alimentation à montage en surface standard

Peut être soudé à la vague

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