MOSFET canal N Infineon 100 A 20 V, TO-252 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9461
- Référence fabricant:
- IRLR6225TRPBF
- Marque:
- Infineon
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 257-9461
- Référence fabricant:
- IRLR6225TRPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 20V | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4mΩ | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 63W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 48nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 12V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 20V | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4mΩ | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 63W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 48nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 12V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRLR d'Infineon est un mosfet de puissance HEXFET à canal n simple de 20 V dans un boîtier D-Pak.
Optimisé pour la plus grande disponibilité auprès des partenaires de distribution
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Boîtier d'alimentation à montage en surface standard
Peut être soudé à la vague
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