MOSFET canal N Infineon 56 A 100 V, 3 broches, TO-252 HEXFET
- Code commande RS:
- 214-4456
- Référence fabricant:
- IRFR3710ZTRLPBF
- Marque:
- Infineon
Sous-total (3000 unités, sur une bobine de 3000)*
2 220,00 €
HT
2 670,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,74 € | 2 220,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-4456
- Référence fabricant:
- IRFR3710ZTRLPBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 56A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-252 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 18mΩ | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 140W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 100nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 56A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-252 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 18mΩ | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 140W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 100nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Ce transistor MOSFET de puissance HEXFET utilise les toutes dernières techniques de traitement pour obtenir une très faible résistance par zone de silicium. Les caractéristiques supplémentaires de cette conception sont une température de fonctionnement à jonction de 175 °C, une vitesse de commutation rapide et une meilleure valeur nominale d'avalanche répétitive.
Sa conception est extrêmement efficace et fiable
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