MOSFET canal N Infineon 46 A 250 V Enrichissement, TO-220 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9346
- Référence fabricant:
- IRFB4229PBF
- Marque:
- Infineon
Ajoutez 100 de plus pour économiser 17%
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 tube de 50 unités)*
73,65 €
HT
88,40 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Plus 300 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 novembre 2026
Unité | Prix par unité | le tube* | Économie |
|---|---|---|---|
| 50 - 50 | 1,473 € | 73,65 € | - |
| 100 - 200 | 1,211 € | 60,55 € | 17% |
| 250 + | 1,196 € | 59,80 € | 18% |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9346
- Référence fabricant:
- IRFB4229PBF
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 46A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 250V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 46mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -40°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 72nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 10V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 46A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 250V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 46mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -40°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 72nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 10V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon série HEXFET, tension drain-source maximale de 250 V, courant de drain continu maximal de 46 A - IRFB4229PBF
Caractéristiques et avantages :
• La Rds(on) de 46 mΩ réduit les pertes de conduction dans les chemins d'alimentation
• La valeur nominale drain-source de 250 V permet un fonctionnement à haute tension
• La charge de grille typique de 72 nC prend en charge un comportement de commutation prévisible
• La tension maximale de la source de la grille de 10 V permet des niveaux d'entraînement de grille standard
Applications
• Convient aux éléments de commutation d'entraînement de moteur discrets
• Idéal pour les cartes d'alimentation à montage traversant à usage général
• Peut être utilisé pour les modules de commutation de commande industriels
• Utilisé avec la gestion thermique dans les systèmes à température élevée
Quel type de boîtier est fourni pour faciliter le montage?
À quelle plage de température ce dispositif peut-il résister pendant son fonctionnement ?
Quelles sont les contraintes d'entraînement de grille à respecter?
Ce dispositif est-il adapté à une utilisation selon les spécifications des normes automobiles?
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 46 A 250 V Enrichissement, TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 35 A 150 V Enrichissement, TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 76 A 200 V Enrichissement, TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 95 A 60 V Enrichissement, TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 120 A 40 V Enrichissement, TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 60 A 250 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 11 A 100 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET canal N Infineon 43 A 60 V Enrichissement TO-220 HEXFET
