MOSFET canal N Infineon 95 A 60 V Enrichissement, TO-220 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9365
- Référence fabricant:
- IRFB7545PBF
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 257-9365
- Référence fabricant:
- IRFB7545PBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 95A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5.90mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | +175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 95A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5.90mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum +175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon série HEXFET, tension drain-source maximale de 60 V, courant de drain continu maximal de 95 A - IRFB7545PBF
Ce MOSFET est un transistor de puissance à canal N à trou traversant conçu pour les applications de commutation et à courant élevé. Il fonctionne en mode d'amélioration et convient aux environnements nécessitant une large plage de températures de fonctionnement. Le dispositif est fourni dans un boîtier TO-220 et est conforme aux exigences RoHS, ce qui le rend adapté aux assemblages où la conformité sans plomb est requise.
Caractéristiques et avantages :
• Rds(on) de 5,9 mΩ permettant de réduire les pertes de conduction
• Capacité de commutation moyenne tension de 60 V Vds
• Courant de drain continu de 95 A prenant en charge les charges à courant élevé
• Valeur nominale de -55 à 175 °C pour un fonctionnement à température étendue
• Tension directe de 1,3 V réduisant la chute de conduction de la diode
• Capacité de commutation moyenne tension de 60 V Vds
• Courant de drain continu de 95 A prenant en charge les charges à courant élevé
• Valeur nominale de -55 à 175 °C pour un fonctionnement à température étendue
• Tension directe de 1,3 V réduisant la chute de conduction de la diode
Applications
• Convient aux alimentations nécessitant une commutation à courant élevé
• Idéal pour l'étage d'entraînement de moteur dans les contrôleurs industriels
• Utilisé avec la gestion thermique pour les circuits à température élevée
• Peut être utilisé pour le remplacement des transistors de puissance à usage général
• Utilisé pour le prototypage à montage traversant et les assemblages durables
• Idéal pour l'étage d'entraînement de moteur dans les contrôleurs industriels
• Utilisé avec la gestion thermique pour les circuits à température élevée
• Peut être utilisé pour le remplacement des transistors de puissance à usage général
• Utilisé pour le prototypage à montage traversant et les assemblages durables
Quel boîtier et quelle méthode de montage utilise-t-il?
Il est fourni dans un boîtier TO-220 destiné au montage traversant.
Quel type de canal et quel mode de fonctionnement sont proposés?
Le dispositif est un transistor à canal N fonctionnant en mode d'amélioration.
Est-il adapté aux exigences des normes automobiles?
Il n'est pas spécifié comme répondant aux classifications des normes automobiles.
Quelle est la conformité aux directives environnementales incluses?
Le composant est conforme à la directive RoHS pour les substances réglementées.
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