MOSFET canal N Infineon 95 A 60 V Enrichissement, TO-220 HEXFET
- Code commande RS:
- 257-9364
- Référence fabricant:
- IRFB7545PBF
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|
| 50 - 50 | 0,814 € | 40,70 € |
| 100 - 200 | 0,635 € | 31,75 € |
| 250 - 450 | 0,594 € | 29,70 € |
| 500 - 1200 | 0,554 € | 27,70 € |
| 1250 + | 0,513 € | 25,65 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 257-9364
- Référence fabricant:
- IRFB7545PBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 95A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Série | HEXFET | |
| Type de montage | Traversant | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5.90mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | +175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 95A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Série HEXFET | ||
Type de montage Traversant | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5.90mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum +175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile Non | ||
La série IRFB d'Infineon est un mosfet de puissance IRFET puissant à canal n simple de 60 V dans un boîtier TO 220. La famille de puissants IRFET de puissance Mosfet est optimisée pour un faible RDS(on) et une capacité de courant élevé. Les dispositifs sont parfaits pour les applications à basse fréquence nécessitant des performances et une robustesse.
Boîtier d'alimentation à montage traversant standard
Intensité nominale élevée
Qualification du produit conformément à la norme JEDEC
Optimisé au silicium pour les applications de commutation inférieures à 100 kHz
Diode à corps plus souple par rapport à la génération de silicium précédente
Large portefeuille disponible
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