MOSFET P Infineon 74 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HEXFET
- Code commande RS:
- 540-9799
- Référence fabricant:
- IRF4905PBF
- Marque:
- Infineon
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 unité)*
2,29 €
HT
2,75 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- 93 unité(s) prête(s) à être expédiée(s)
- Plus 317 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 2,29 € |
| 10 - 24 | 2,18 € |
| 25 - 49 | 2,09 € |
| 50 - 99 | 1,94 € |
| 100 + | 1,84 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 540-9799
- Référence fabricant:
- IRF4905PBF
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | Type P | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 74A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 55V | |
| Série | HEXFET | |
| Type de Boitier | TO-220 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 20mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 180nC | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 200W | |
| Tension directe Vf | -1.6V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 10.54mm | |
| Hauteur | 8.77mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal Type P | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 74A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 55V | ||
Série HEXFET | ||
Type de Boitier TO-220 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 20mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 180nC | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 200W | ||
Tension directe Vf -1.6V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 10.54mm | ||
Hauteur 8.77mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Infineon HEXFET Series MOSFET, 74A Maximum Continuous Drain Current, 200W Maximum Power Dissipation - IRF4905PBF
Ce MOSFET constitue une solution polyvalente pour la gestion de l'énergie dans diverses applications industrielles. Il est conçu pour une efficacité et une fiabilité élevées, ce qui le rend indispensable aux professionnels des secteurs électronique et électrique. Avec des caractéristiques de performance robustes, ce produit améliore la conception des circuits et assure un fonctionnement optimal dans des environnements difficiles.
Caractéristiques et avantages
• Capacité de courant de vidange continu élevée de 74A pour les applications exigeantes
• La tension maximale drain-source de 55V permet une gestion efficace de l'énergie
• La faible résistance à l'enclenchement de 20mΩ améliore l'efficacité énergétique
• Conçu comme un MOSFET à mode d'amélioration pour un contrôle précis
• Le boîtier TO-220AB facilite le montage et l'intégration
Applications
• Utilisé dans les convertisseurs DC-DC pour une conversion efficace de l'énergie
• Idéal pour la commande de moteurs nécessitant une gestion courante importante
• Utilisé dans les blocs d'alimentation pour un fonctionnement rationalisé
• Convient à la gestion thermique dans les environnements à forte charge
• Utilisé dans les systèmes d'automatisation pour une commutation fiable
En quoi la faible résistance à l'enclenchement est-elle utile à la conception des circuits ?
La réduction de la résistance à l'enclenchement minimise les pertes de puissance pendant le fonctionnement, améliorant ainsi l'efficacité énergétique et les performances globales, ce qui est vital dans les applications à courant élevé.
Quelle est la signification de l'utilisation d'un boîtier TO-220AB ?
Le boîtier TO-220AB permet une dissipation efficace de la chaleur tout en facilitant l'installation, ce qui en fait un choix privilégié pour les applications industrielles.
Ce composant peut-il supporter des environnements à haute température ?
Oui, il fonctionne efficacement à des températures allant jusqu'à +175°C, ce qui convient aux applications rigoureuses.
Quel type d'applications nécessite le courant de drain continu élevé de ce MOSFET ?
Le courant de vidange continu élevé est adapté aux applications telles que les entraînements de moteur, les convertisseurs de puissance et autres systèmes qui nécessitent une gestion robuste de la puissance.
Quel est l'impact de la tension du seuil de grille sur ses performances ?
Une tension de seuil de grille comprise entre 2 et 4 V garantit un comportement de commutation fiable, contribuant à un contrôle précis dans divers circuits électroniques.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET P Infineon 74 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET P Infineon 12 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 47 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET P Infineon 74 A 55 V Enrichissement TO-262 HEXFET
- MOSFET P Infineon 19 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET P Infineon 31 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 17 A 150 V Enrichissement TO-220 HEXFET
- MOSFET N Infineon 110 A 55 V Enrichissement TO-220 HEXFET
