MOSFET P Infineon 74 A 55 V Enrichissement, 3 broches, TO-220 HEXFET

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540-9799
Référence fabricant:
IRF4905PBF
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

Type P

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

74A

Tension Drain Source maximum Vds

55V

Série

HEXFET

Type de Boitier

TO-220

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

20mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

180nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

200W

Tension directe Vf

-1.6V

Température d'utilisation maximum

175°C

Longueur

10.54mm

Hauteur

8.77mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Infineon HEXFET Series MOSFET, 74A Maximum Continuous Drain Current, 200W Maximum Power Dissipation - IRF4905PBF


Ce MOSFET constitue une solution polyvalente pour la gestion de l'énergie dans diverses applications industrielles. Il est conçu pour une efficacité et une fiabilité élevées, ce qui le rend indispensable aux professionnels des secteurs électronique et électrique. Avec des caractéristiques de performance robustes, ce produit améliore la conception des circuits et assure un fonctionnement optimal dans des environnements difficiles.

Caractéristiques et avantages


• Capacité de courant de vidange continu élevée de 74A pour les applications exigeantes

• La tension maximale drain-source de 55V permet une gestion efficace de l'énergie

• La faible résistance à l'enclenchement de 20mΩ améliore l'efficacité énergétique

• Conçu comme un MOSFET à mode d'amélioration pour un contrôle précis

• Le boîtier TO-220AB facilite le montage et l'intégration

Applications


• Utilisé dans les convertisseurs DC-DC pour une conversion efficace de l'énergie

• Idéal pour la commande de moteurs nécessitant une gestion courante importante

• Utilisé dans les blocs d'alimentation pour un fonctionnement rationalisé

• Convient à la gestion thermique dans les environnements à forte charge

• Utilisé dans les systèmes d'automatisation pour une commutation fiable

En quoi la faible résistance à l'enclenchement est-elle utile à la conception des circuits ?


La réduction de la résistance à l'enclenchement minimise les pertes de puissance pendant le fonctionnement, améliorant ainsi l'efficacité énergétique et les performances globales, ce qui est vital dans les applications à courant élevé.

Quelle est la signification de l'utilisation d'un boîtier TO-220AB ?


Le boîtier TO-220AB permet une dissipation efficace de la chaleur tout en facilitant l'installation, ce qui en fait un choix privilégié pour les applications industrielles.

Ce composant peut-il supporter des environnements à haute température ?


Oui, il fonctionne efficacement à des températures allant jusqu'à +175°C, ce qui convient aux applications rigoureuses.

Quel type d'applications nécessite le courant de drain continu élevé de ce MOSFET ?


Le courant de vidange continu élevé est adapté aux applications telles que les entraînements de moteur, les convertisseurs de puissance et autres systèmes qui nécessitent une gestion robuste de la puissance.

Quel est l'impact de la tension du seuil de grille sur ses performances ?


Une tension de seuil de grille comprise entre 2 et 4 V garantit un comportement de commutation fiable, contribuant à un contrôle précis dans divers circuits électroniques.

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