MOSFET canal N Infineon 300 A 100 V Enrichissement, 8 broches, HSOF OptiMOS 5

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Code commande RS:
214-4347
Référence fabricant:
IAUT300N10S5N015ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

300A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Série

OptiMOS 5

Type de Boitier

HSOF

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

1.5mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

166nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

375W

Tension directe Vf

1.3V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

Ce MOSFET Infineon OptiMOS offre la R DS(on) de pointe d'un transistor MOSFET à tranchée ainsi que la large zone de fonctionnement sûre d'un transistor MOSFET planaire classique.

Il est idéal pour les applications de remplacement à chaud et de fusible électronique

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