MOSFET canal N Infineon 300 A 100 V Enrichissement, 8 broches, HSOF OptiMOS 5

Code commande RS:: 214-4346
Référence fabricant:: IAUT300N10S5N015ATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 300 A 100 V Enrichissement, 8 broches, HSOF OptiMOS 5

Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*

4 680,00 €

5 620,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
2000 +	2,34 €	4 680,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 214-4346
Référence fabricant:: IAUT300N10S5N015ATMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	300A
	Tension Drain Source maximum Vds	100V
	Type de Boitier	HSOF
	Série	OptiMOS 5
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	1.5mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	166nC
	Dissipation de puissance maximum Pd	375W
	Tension directe Vf	1.3V
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 300A
	Tension Drain Source maximum Vds 100V
	Type de Boitier HSOF
	Série OptiMOS 5
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 1.5mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 166nC
	Dissipation de puissance maximum Pd 375W
	Tension directe Vf 1.3V
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations No
	Standard automobile Non

Datasheet - IAUT300N10S5N015ATMA1

Transistor MOSFET OptiMOS série 5 d'Infineon, tension de source de drain maximale de 100 V, courant de drain continu maximal de 300 A - IAUT300N10S5N015ATMA1

Ce MOSFET est un dispositif d'amélioration à canal N haute puissance conçu pour les fonctions de commutation et de conversion de puissance exigeantes. Il fonctionne sur une large plage de températures adaptée aux conditions difficiles et est conditionné pour un montage en surface dans un encombrement HSOF standard, offrant une faible chute vers l'avant pour une conduction efficace dans les circuits à courant élevé.

Caractéristiques et avantages :

• La capacité de drain de 100 V permet une commutation à tension plus élevée
• La faible valeur Rds(on) de 1,5 mΩ réduit les pertes de conduction lors de courants élevés
• Le courant continu de 300 A prend en charge les applications à charge élevée
• La dissipation de puissance de 375 W permet une charge thermique soutenue
• La charge de grille de 166 nC équilibre la vitesse de commutation et les exigences d'entraînement
• La tension directe de 1,3 V limite la chute de tension sous charge

Applications

• Convient aux convertisseurs et inverseurs de puissance à courant élevé
• Idéal pour les étapes de traction et d'entraînement de moteur dans l'électronique de puissance
• Utilisé pour les convertisseurs c.c.-c.c. hautes performances dans les systèmes industriels
• Peut être utilisé pour les modules de distribution d'alimentation à semi-conducteurs
• Convient aux étapes de commutation rapides dans les alimentations de serveur

Quelle est la résistance de l'entraînement de grille nécessaire pour une commutation efficace?

Attendez-vous à ce que les pilotes de grille soient capables de fournir et absorber suffisamment de courant pour charger 166 nC dans l'intervalle de commutation cible

un entraînement plus lent augmente les pertes de commutation.

Comment le dispositif gère-t-il les températures de jonction élevées?

Il est conçu pour fonctionner de -55 °C à 175 °C, ce qui permet une utilisation dans des environnements à haute température lorsque une gestion thermique appropriée est appliquée.

Quelles sont les considérations de montage importantes pour les performances thermiques?

L'HSOF à montage en surface nécessite une mise à la terre thermique de circuit imprimé et une stratégie de dissipation thermique bien conçues pour dissiper jusqu'à 375 W de puissance en utilisation intensive.

Comment la configuration des canaux affecte-t-elle la conception des circuits?

En tant que dispositif d'amélioration de canal N, il est adapté aux arrangements de commutation côté bas ou de redressement synchrone où la référence de grille est proche du potentiel source.