MOSFET canal N Infineon 300 A 100 V Enrichissement, 8 broches, HSOF OptiMOS 5
- Code commande RS:
- 214-4346
- Référence fabricant:
- IAUT300N10S5N015ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (2000 unités, sur une bobine de 2000)*
4 680,00 €
HT
5 620,00 €
TTC
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2000 + | 2,34 € | 4 680,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 214-4346
- Référence fabricant:
- IAUT300N10S5N015ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 300A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Série | OptiMOS 5 | |
| Type de Boitier | HSOF | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.5mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 166nC | |
| Tension directe Vf | 1.3V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 300A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Série OptiMOS 5 | ||
Type de Boitier HSOF | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.5mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 166nC | ||
Tension directe Vf 1.3V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Ce MOSFET Infineon OptiMOS offre la R DS(on) de pointe d'un transistor MOSFET à tranchée ainsi que la large zone de fonctionnement sûre d'un transistor MOSFET planaire classique.
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