MOSFET canal N Infineon 300 A 100 V Enrichissement, 9 broches, HSOF IPT015N10N5
- Code commande RS:
- 171-1991
- Référence fabricant:
- IPT015N10N5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
30,06 €
HT
36,07 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- 155 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 + | 6,012 € | 30,06 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 171-1991
- Référence fabricant:
- IPT015N10N5ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 300A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 100V | |
| Type de Boitier | HSOF | |
| Série | IPT015N10N5 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 9 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Tension directe Vf | 900mV | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 169nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 10.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 10.58mm | |
| Hauteur | 2.4mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 300A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 100V | ||
Type de Boitier HSOF | ||
Série IPT015N10N5 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 9 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Tension directe Vf 900mV | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 169nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 10.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 10.58mm | ||
Hauteur 2.4mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET Infineon série IPT015N10N5, tension de source de drain maximale de 100 V, courant de drain continu maximal de 300 A - IPT015N10N5ATMA1
Caractéristiques et avantages :
• Le courant de drain continu de 300 A prend en charge les charges à courant élevé
• Rds(on) de 2 mΩ minimise les pertes de conduction sous charge
• La charge de grille typique de 169 nC réduit les compromis d'énergie de commutation
• La dissipation de puissance maximale de 375 W permet un fonctionnement à haute puissance
• La tolérance de la grille de 20 V permet des tensions d'entraînement de grille flexibles
Applications
• Idéal pour le redressement synchrone dans les alimentations
• Utilisé avec des modules inverseurs pour les variateurs industriels
• Peut être utilisé pour les convertisseurs c.c.-c.c. dans les systèmes d'alimentation
• Adapté à l'électronique de puissance de traction ou de propulsion
À quelle plage thermique puis-je m'attendre pour les environnements difficiles?
Quelle méthode de montage est nécessaire pour l'intégration des circuits imprimés?
Combien de broches sont disponibles pour la connexion et la planification de l'agencement?
Quel mode et type de canal utilise-t-il pour la topologie de commutation?
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 300 A 100 V Enrichissement HSOF IPT015N10N5
- MOSFET canal N Infineon 300 A 30 V Enrichissement HSOF OptiMOS
- MOSFET canal N Infineon 300 A 100 V Enrichissement HSOF OptiMOS 5
- MOSFET canal N Infineon 300 A 60 V Enrichissement HSOF OptiMOS 5
- MOSFET canal N Infineon 300 A 100 V Enrichissement HSOF OptiMOS 3
- MOSFET canal N Infineon 300 A 40 V Enrichissement HSOF IPL AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 300 A 80 V Enrichissement HSOF IAUT AEC-Q101
- MOSFET canal N Infineon 180 A 40 V Enrichissement HSOF IAUA
