MOSFET canal N Infineon 300 A 100 V Enrichissement, 9 broches, HSOF IPT015N10N5

Code commande RS:: 170-2320
Référence fabricant:: IPT015N10N5ATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 300 A 100 V Enrichissement, 9 broches, HSOF IPT015N10N5

Sous-total (2000 unités, sur une bobine de 2000)*

5 088,00 €

6 106,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
2000 +	2,544 €	5 088,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 170-2320
Référence fabricant:: IPT015N10N5ATMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	300A
	Tension Drain Source maximum Vds	100V
	Série	IPT015N10N5
	Type de Boitier	HSOF
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	9
	Résistance Drain Source maximum Rds	2mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension directe Vf	0.9V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	169nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	20V
	Dissipation de puissance maximum Pd	375W
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Hauteur	2.4mm
	Largeur	10.58mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	10.1mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 300A
	Tension Drain Source maximum Vds 100V
	Série IPT015N10N5
	Type de Boitier HSOF
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 9
	Résistance Drain Source maximum Rds 2mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension directe Vf 0.9V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 169nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs 20V
	Dissipation de puissance maximum Pd 375W
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Hauteur 2.4mm
	Largeur 10.58mm
	Normes/homologations No
	Longueur 10.1mm
	Standard automobile Non

Datasheet

Transistor MOSFET Infineon série IPT015N10N5, tension de source de drain maximale de 100 V, courant de drain continu maximal de 300 A - IPT015N10N5ATMA1

Ce MOSFET est un dispositif de commutation à canal N à courant élevé conçu pour la conversion de puissance et la commande de moteur dans les systèmes électroniques exigeants. Il fonctionne sur une large plage de températures et est destiné aux assemblages montés en surface où une conduction robuste et une commutation rapide sont nécessaires. Ce composant convient aux concepteurs à la recherche d'un transistor compact et haute puissance pour les applications nécessitant des courants de drain importants et une gestion de tension élevée.

Caractéristiques et avantages :

• La tension de drain de 100 V permet des applications de commutation à haute tension
• Le courant de drain continu de 300 A prend en charge les charges à courant élevé
• Rds(on) de 2 mΩ minimise les pertes de conduction sous charge
• La charge de grille typique de 169 nC réduit les compromis d'énergie de commutation
• La dissipation de puissance maximale de 375 W permet un fonctionnement à haute puissance
• La tolérance de la grille de 20 V permet des tensions d'entraînement de grille flexibles

Applications

• Convient aux étages d'entraînement de moteur à courant élevé
• Idéal pour le redressement synchrone dans les alimentations
• Utilisé avec des modules inverseurs pour les variateurs industriels
• Peut être utilisé pour les convertisseurs c.c.-c.c. dans les systèmes d'alimentation
• Adapté à l'électronique de puissance de traction ou de propulsion

À quelle plage thermique puis-je m'attendre pour les environnements difficiles?

Il est spécifié pour fonctionner de -55 °C à 175 °C, s'adaptant à des conditions de jonction surélevées.

Quelle méthode de montage est nécessaire pour l'intégration des circuits imprimés?

Le dispositif est destiné au montage en surface dans un encombrement de boîtier HSOF pour un assemblage automatisé.

Combien de broches sont disponibles pour la connexion et la planification de l'agencement?

Le boîtier fournit neuf broches, ce qui permet des chemins de courant robustes et des dispositions de porte/drain/source.

Quel mode et type de canal utilise-t-il pour la topologie de commutation?

Le dispositif est un transistor MOSFET à canal N fonctionnant en mode d'amélioration, adapté aux configurations côté bas ou côté haut avec un pilotage de grille approprié.