MOSFET canal N Infineon 300 A 60 V Enrichissement, 8 broches, HSOF OptiMOS 5
- Code commande RS:
- 906-4407
- Référence fabricant:
- IPT007N06NATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
14,14 €
HT
16,96 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- 2 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 3 098 unité(s) expédiée(s) à partir du 27 octobre 2026
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 + | 7,07 € | 14,14 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 906-4407
- Référence fabricant:
- IPT007N06NATMA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 300A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | HSOF | |
| Série | OptiMOS 5 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -20V, +20V | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 216nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 375W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Longueur | 10.58mm | |
| Hauteur | 2.4mm | |
| Largeur | 10.1mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 300A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier HSOF | ||
Série OptiMOS 5 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 216nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 375W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Longueur 10.58mm | ||
Hauteur 2.4mm | ||
Largeur 10.1mm | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile Non | ||
Statut RoHS : Exempté
Transistor MOSFET OptiMOS série 5 d'Infineon, tension de source de drain maximale de 60 V, courant de drain continu maximal de 300 A - IPT007N06NATMA1
Caractéristiques et avantages :
• Gestion du courant continu de 300 A pour la commutation à charge lourde
• Rds(on) de 1 mΩ réduisant les pertes de conduction dans les chemins à courant élevé
• Dissipation de puissance de 375 W permettant un fonctionnement durable à haute puissance
• Charge de grille typique de 216 nC pour des exigences de commande de grille prévisibles
• Tolérance de grille de ±20 V prenant en charge des transitoires de commande de grille robustes
Applications
• Idéal pour les étages de sortie d'inverseur à entraînement motorisé
• Utilisé pour le redressement synchrone à courant élevé dans les alimentations
• Peut être utilisé pour les convertisseurs c.c.-c.c. dans les équipements de télécommunications
• Convient à la gestion de l'alimentation et aux variateurs industriels
Quelles sont les limites thermiques que les concepteurs doivent prendre en compte pour un fonctionnement continu?
Quel est l'impact de la charge de grille sur la sélection du circuit d'entraînement?
Quels sont les détails du montage mécanique et du nombre de broches de l'appareil?
Quelle plage de température de fonctionnement peut-on attendre dans la conception du système?
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N Infineon 300 A 60 V Enrichissement HSOF OptiMOS 5
- MOSFET canal N Infineon 300 A 30 V Enrichissement HSOF OptiMOS
- MOSFET canal N Infineon 300 A 100 V Enrichissement HSOF OptiMOS 5
- MOSFET canal N Infineon 300 A 100 V Enrichissement HSOF OptiMOS 3
- MOSFET canal N Infineon 96 A 200 V Enrichissement HSOF OptiMOS 3
- MOSFET canal N Infineon 510 A 60 V Enrichissement PG-HSOF-8-1 OptiMOS
- MOSFET canal N Infineon 331 A 120 V Enrichissement PG-HSOF-8 OptiMOS
- MOSFET canal N Infineon 240 A 80 V Enrichissement HSOF OptiMOS 5 AEC-Q101
