MOSFET canal N Infineon 510 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8-1 OptiMOS
- Code commande RS:
- 284-698
- Référence fabricant:
- IAUTN06S5N008ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (2000 unités, sur une bobine de 2000)*
5 088,00 €
HT
6 106,00 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
- Expédition à partir du 26 mars 2027
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2000 + | 2,544 € | 5 088,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 284-698
- Référence fabricant:
- IAUTN06S5N008ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 510A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | PG-HSOF-8-1 | |
| Série | OptiMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 0.76mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 358W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 510A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier PG-HSOF-8-1 | ||
Série OptiMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 0.76mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 358W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
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