MOSFET canal N Infineon 510 A 60 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8-1 OptiMOS

Sous-total (2000 unités, sur une bobine de 2000)*

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Code commande RS:
284-698
Référence fabricant:
IAUTN06S5N008ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

510A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Type de Boitier

PG-HSOF-8-1

Série

OptiMOS

Type de montage

En surface

Nombre de broches

8

Résistance Drain Source maximum Rds

0.76mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Dissipation de puissance maximum Pd

358W

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS Compliant

Standard automobile

Non

Le MOSFET de puissance automobile Infineon OptiMOS 5 est conçu pour des applications de haute performance dans le secteur automobile, offrant une efficacité et une fiabilité exceptionnelles. Conçu comme un dispositif robuste à mode d'amélioration du canal N, il garantit une fonctionnalité supérieure avec des tests électriques améliorés qui répondent aux normes rigoureuses de l'industrie. Ce composant innovant domine la gestion de l'alimentation automobile, offrant une conception compacte qui s'intègre parfaitement dans divers systèmes automobiles. Avec une plage de température de fonctionnement remarquable et la conformité à la norme AEC Q101, il garantit des performances constantes même dans des conditions environnementales difficiles.

Une conception robuste pour une plus grande fiabilité

Dépasse les qualifications standard de l'industrie

Résistance thermique efficace pour la gestion de la chaleur

le test d'avalanche à 100 % garantit la durabilité

Conforme à la directive RoHS pour une utilisation respectueuse de l'environnement

Gère des courants de vidange continus élevés

Charge de grille avancée pour une commutation rapide

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