MOSFET canal N Infineon 314 A 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8-1 OptiMOS
- Code commande RS:
- 284-669
- Référence fabricant:
- IAUTN12S5N017ATMA1
- Marque:
- Infineon
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|---|---|---|
| 2 - 18 | 7,32 € | 14,64 € |
| 20 - 198 | 6,595 € | 13,19 € |
| 200 - 998 | 6,085 € | 12,17 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 284-669
- Référence fabricant:
- IAUTN12S5N017ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 314A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 120V | |
| Type de Boitier | PG-HSOF-8-1 | |
| Série | OptiMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.7mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 358W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 314A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 120V | ||
Type de Boitier PG-HSOF-8-1 | ||
Série OptiMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.7mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 358W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance automobile OptiMOS 5 d'Infineon est conçu pour des performances robustes dans les applications exigeantes. Doté de la technologie OptiMOS 5, il excelle en termes d'efficacité et de fiabilité, ce qui en fait un choix idéal pour les solutions de gestion de l'alimentation automobile. Sa structure de mode d'amélioration de canal N fournit une fonctionnalité de haut niveau tout en respectant les normes industrielles rigoureuses. Conçu pour résister à des conditions extrêmes, ce transistor de puissance garantit un fonctionnement jusqu'à 175 °C et est doté d'une qualification étendue au-delà de l'AEC Q101.
Optimisé pour la compatibilité automobile
Les tests améliorés garantissent des performances fiables
Conception robuste avec gestion thermique avancée
La valeur nominale MSL1 prend en charge le reflow de crête de 260 °C
Conforme à la directive RoHS pour les initiatives respectueuses de l'environnement
Les tests d'avalanche confirment la résilience transitoire
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