MOSFET canal N Infineon 314 A 120 V Enrichissement, 8 broches, PG-HSOF-8-1 OptiMOS
- Code commande RS:
- 284-667
- Référence fabricant:
- IAUTN12S5N017ATMA1
- Marque:
- Infineon
Sous-total (2000 unités, sur une bobine de 2000)*
5 928,00 €
HT
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2000 + | 2,964 € | 5 928,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 284-667
- Référence fabricant:
- IAUTN12S5N017ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 314A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 120V | |
| Type de Boitier | PG-HSOF-8-1 | |
| Série | OptiMOS | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.7mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 358W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS Compliant | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 314A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 120V | ||
Type de Boitier PG-HSOF-8-1 | ||
Série OptiMOS | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.7mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 358W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS Compliant | ||
Standard automobile Non | ||
Le transistor MOSFET de puissance automobile OptiMOS 5 d'Infineon est conçu pour des performances robustes dans les applications exigeantes. Doté de la technologie OptiMOS 5, il excelle en termes d'efficacité et de fiabilité, ce qui en fait un choix idéal pour les solutions de gestion de l'alimentation automobile. Sa structure de mode d'amélioration de canal N fournit une fonctionnalité de haut niveau tout en respectant les normes industrielles rigoureuses. Conçu pour résister à des conditions extrêmes, ce transistor de puissance garantit un fonctionnement jusqu'à 175 °C et est doté d'une qualification étendue au-delà de l'AEC Q101.
Optimisé pour la compatibilité automobile
Les tests améliorés garantissent des performances fiables
Conception robuste avec gestion thermique avancée
La valeur nominale MSL1 prend en charge le reflow de crête de 260 °C
Conforme à la directive RoHS pour les initiatives respectueuses de l'environnement
Les tests d'avalanche confirment la résilience transitoire
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