MOSFET de puissance canal N Infineon 510 A 60 V Enrichissement, 12 broches, PG-TSON-12 OptiMOS

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Code commande RS:
762-983
Référence fabricant:
IQFH61N06NM5ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET de puissance

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

510A

Tension Drain Source maximum Vds

60V

Série

OptiMOS

Type de Boitier

PG-TSON-12

Type de montage

En surface

Nombre de broches

12

Résistance Drain Source maximum Rds

0.61mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension directe Vf

1.1V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

190nC

Dissipation de puissance maximum Pd

300W

Température d'utilisation maximum

175°C

Largeur

6mm

Longueur

8mm

Hauteur

1.1mm

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
MY
Le transistor OptiMOS 5Power d'Infineon, 60 V, est optimisé pour les entraînements basse tension, alimentés par batterie et les applications de redressement synchrone. Entièrement qualifié pour les applications industrielles selon le JEDEC.

100 % testé contre les avalanches

Résistance thermique supérieure

Canal N

Placage de câble sans plomb, conforme à la directive RoHS

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