MOSFET canal N Infineon 300 A 60 V Enrichissement, 8 broches, HSOF OptiMOS 5

Code commande RS:: 178-7451
Référence fabricant:: IPT007N06NATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 300 A 60 V Enrichissement, 8 broches, HSOF OptiMOS 5

Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*

4 932,00 €

5 918,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
2000 +	2,466 €	4 932,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 178-7451
Référence fabricant:: IPT007N06NATMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	300A
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Série	OptiMOS 5
	Type de Boitier	HSOF
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	1mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension directe Vf	1V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	216nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	375W
	Température d'utilisation maximum	175°C
	Normes/homologations	No
	Largeur	10.1mm
	Longueur	10.58mm
	Hauteur	2.4mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 300A
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Série OptiMOS 5
	Type de Boitier HSOF
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 1mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Tension directe Vf 1V
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 216nC
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 375W
	Température d'utilisation maximum 175°C
	Normes/homologations No
	Largeur 10.1mm
	Longueur 10.58mm
	Hauteur 2.4mm
	Standard automobile Non

IPT007N06N OptiMOS Power-Transistor, 60 V

Statut RoHS : Exempté

Transistor MOSFET OptiMOS série 5 d'Infineon, tension de source de drain maximale de 60 V, courant de drain continu maximal de 300 A - IPT007N06NATMA1

Ce MOSFET est un dispositif d'amélioration à canal N à courant élevé conçu pour la commutation de puissance dans les systèmes électroniques exigeants. Il fonctionne sur une large plage de températures adaptée aux environnements difficiles et est fourni dans un boîtier HSOF à montage en surface pour prendre en charge les configurations de carte compactes et une gestion thermique efficace.

Caractéristiques et avantages :

• Valeur nominale de drain de 60 V permettant des conceptions d'alimentation à moyenne tension
• Gestion du courant continu de 300 A pour la commutation à charge lourde
• Rds(on) de 1 mΩ réduisant les pertes de conduction dans les chemins à courant élevé
• Dissipation de puissance de 375 W permettant un fonctionnement durable à haute puissance
• Charge de grille typique de 216 nC pour des exigences de commande de grille prévisibles
• Tolérance de grille de ±20 V prenant en charge des transitoires de commande de grille robustes

Applications

• Convient aux étapes de conversion d'alimentation des serveurs et des centres de données
• Idéal pour les étages de sortie d'inverseur à entraînement motorisé
• Utilisé pour le redressement synchrone à courant élevé dans les alimentations
• Peut être utilisé pour les convertisseurs c.c.-c.c. dans les équipements de télécommunications
• Convient à la gestion de l'alimentation et aux variateurs industriels

Quelles sont les limites thermiques que les concepteurs doivent prendre en compte pour un fonctionnement continu?

Le dispositif est conçu pour dissiper jusqu'à 375 W

les concepteurs doivent s'assurer que le cuivre de circuit imprimé, les vias thermiques ou les dissipateurs thermiques adéquats maintiennent la température de jonction dans des limites acceptables en raison de la perte de puissance du système.

Quel est l'impact de la charge de grille sur la sélection du circuit d'entraînement?

Avec une charge de grille typique de 216 nC, les drivers de grille doivent fournir un courant de crête et une vitesse de commutation suffisants pour atteindre les temps de transition souhaités tout en gérant les pertes de commutation et les interférences électromagnétiques.

Quels sont les détails du montage mécanique et du nombre de broches de l'appareil?

Il est fourni dans un boîtier HSOF à montage en surface avec huit broches, permettant des connexions au niveau de la carte à faible inductance pour les chemins à courant élevé.

Quelle plage de température de fonctionnement peut-on attendre dans la conception du système?

Le composant est spécifié pour fonctionner de -55 °C à 175 °C, ce qui permet une utilisation dans des environnements thermiquement difficiles lorsque des pratiques de conception thermique appropriées sont appliquées.