MOSFET canal N Infineon 260 A 100 V Enrichissement, 8 broches, HSOF OptiMOS 5 AEC-Q101

Code commande RS:: 218-2989
Référence fabricant:: IAUT260N10S5N019ATMA1
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 260 A 100 V Enrichissement, 8 broches, HSOF OptiMOS 5 AEC-Q101

Sous-total (2000 unités, sur une bobine de 2000)*

3 528,00 €

4 234,00 €

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Unité	Prix par unité	la bobine*
2000 +	1,764 €	3 528,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 218-2989
Référence fabricant:: IAUT260N10S5N019ATMA1
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de produit	MOSFET
	Type de canal	N
	Courant continu de Drain maximum Id	260A
	Tension Drain Source maximum Vds	100V
	Série	OptiMOS 5
	Type de Boitier	HSOF
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	1.9mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd	300W
	Tension directe Vf	1.3V
	Température d'utilisation maximum	+175°C
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de produit MOSFET
	Type de canal N
	Courant continu de Drain maximum Id 260A
	Tension Drain Source maximum Vds 100V
	Série OptiMOS 5
	Type de Boitier HSOF
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 1.9mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Dissipation de puissance maximum Pd 300W
	Tension directe Vf 1.3V
	Température d'utilisation maximum +175°C
	Normes/homologations No
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet - IAUT260N10S5N019ATMA1

Transistor MOSFET OptiMOS série 5 d'Infineon, tension de source de drain de 100 V, courant de drain continu de 260 A - IAUT260N10S5N019ATMA1

Ce MOSFET est un dispositif d'amélioration à canal N à courant élevé conçu pour la commutation de puissance montée en surface dans des environnements exigeants. Il fonctionne dans une large plage de températures adaptée aux conditions difficiles et est conçu pour les applications nécessitant une gestion importante du courant de drain, une résistance à l'état passant étroite et une tolérance robuste à la tension de grille.

Caractéristiques et avantages :

• Rds(on) de 1,9 mΩ pour des pertes de conduction réduites
• Le courant de drain continu de 260 A permet de gérer les courants élevés
• La valeur nominale drain-source de 100 V prend en charge les systèmes à moyenne tension
• La tolérance de grille de ±20 V permet des tensions d'entraînement flexibles
• La dissipation de puissance de 300 W permet une charge thermique substantielle
• La tension directe de 1.3 V minimise les pertes de conduction de la diode

Applications

• Convient aux groupes motopropulseurs et aux moteurs automobiles
• Idéal pour les étapes de conversion c.c.-c.c. à courant élevé
• Utilisé avec les systèmes de gestion de batterie et de stockage d'énergie
• Peut être utilisé pour la distribution d'énergie dans les véhicules électrifiés
• Convient aux assemblages à montage en surface nécessitant des MOSFET de puissance compacts

Quelles températures extrêmes peut-il supporter en fonctionnement?

Il est spécifié pour une utilisation continue de -55 à +175 °C.

Quel type de boîtier et de montage est fourni pour les assemblages compacts?

Il est fourni dans un boîtier HSOF destiné au montage en surface avec huit broches.

Comment le dispositif répond-il aux besoins de qualification automobile?

Il répond aux exigences automobiles AEC-Q101 pour les composants utilisés dans les environnements de véhicules.

Quel type de canal et quel mode déterminent le comportement de commutation?

Il utilise un dispositif à canal N fonctionnant en mode d'amélioration pour une conduction contrôlée.

Quelles sont les limites électriques à respecter pour les tensions de grille et de drain?

La tension de la source de la grille doit rester à ±20 V et la tension de drain à la source à 100 V.