Références fabricant

MOSFET canal N Infineon 165 A 80 V Enrichissement, 8 broches, HSOF IAUT AEC-Q101

Code commande RS:: 229-1808
Référence fabricant:: IAUT165N08S5N029ATMA2
Marque:: Infineon

MOSFET canal N Infineon 165 A 80 V Enrichissement, 8 broches, HSOF IAUT AEC-Q101

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5 - 20	3,612 €	18,06 €
25 - 45	3,032 €	15,16 €
50 - 120	2,82 €	14,10 €
125 - 245	2,636 €	13,18 €
250 +	2,422 €	12,11 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 229-1808
Référence fabricant:: IAUT165N08S5N029ATMA2
Marque:: Infineon

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	165A
	Tension Drain Source maximum Vds	80V
	Série	IAUT
	Type de Boitier	HSOF
	Type de montage	En surface
	Nombre de broches	8
	Résistance Drain Source maximum Rds	2.9mΩ
	Mode de canal	Enrichissement
	Normes/homologations	No
	Standard automobile	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 165A
	Tension Drain Source maximum Vds 80V
	Série IAUT
	Type de Boitier HSOF
	Type de montage En surface
	Nombre de broches 8
	Résistance Drain Source maximum Rds 2.9mΩ
	Mode de canal Enrichissement
	Normes/homologations No
	Standard automobile AEC-Q101

Datasheet - IAUT165N08S5N029ATMA2

80V, N-Ch, 2,9 mΩ max, MOSFET automobile, TOLL, OptiMOSTM-5

Résumé des caractéristiques

•Canal N - Mode d'enrichissement

•Certifié AEC

•MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C

•Température d'utilisation de 175 °C

•Produit écologique (conforme à la directive RoHS)

•Très faible RDS(on)

•Testé 100 % avalanche

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