MOSFET canal N Infineon 120 A 40 V Enrichissement, 8 broches, TO-263 IAUT AEC-Q101
- Code commande RS:
- 244-0893
- Référence fabricant:
- IAUT300N08S5N014ATMA1
- Marque:
- Infineon
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Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 5,50 € |
| 10 - 24 | 5,23 € |
| 25 - 49 | 4,99 € |
| 50 - 99 | 4,78 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 244-0893
- Référence fabricant:
- IAUT300N08S5N014ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 120A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 40V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | IAUT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 1.4mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.1V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 80nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 81W | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 120A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 40V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série IAUT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 1.4mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.1V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 80nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 81W | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le MOSFET Infineon IAUT300N08S5N014ATMA1 Spécifiquement conçu pour les applications automobiles, ce design planaire cellulaire de MOSFET de puissance HEXFET® utilise les dernières techniques de traitement pour obtenir une faible résistance à l'état passant par surface de silicium.
Canal N - Mode amélioration
Qualifié AEC
MSL1 jusqu'à 260 °C en pic de refusion
Température de fonctionnement de 175 °C
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