MOSFET canal N Infineon 120 A 40 V Enrichissement, TO-263 iPB AEC-Q101

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Options de conditionnement :
Code commande RS:
259-1550
Référence fabricant:
IPB120N04S402ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

120A

Tension Drain Source maximum Vds

40V

Type de Boitier

TO-263

Série

iPB

Type de montage

En surface

Résistance Drain Source maximum Rds

1.80mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Température d'utilisation maximum

+175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

L'Infineon OptiMOS-T2 40 V s'adresse à tous les types de commande de moteur EPS, les moteurs triphasés et à pont en H, la commande de ventilateur HVAC, les pompes électriques, etc., en particulier en combinaison avec la commande PWM. Ainsi, les produits OptiMOS-T2 40 V basés sur la technologie de tranchée avancée d'Infineon seront la référence pour la prochaine génération d'applications automobiles dans les domaines de l'efficacité énergétique, de la réduction des émissions de CO2 et des entraînements électriques.

Mode d'amélioration canal N

Certifié AEC

MSL1 jusqu'à 260 °C de refusion de crête

Température d'utilisation : 175 °C

Produit écologique (conforme à la directive RoHS)

Rds(on) ultrafaibles

Testé à 100 % contre les avalanches

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