MOSFET canal N Infineon 100 A 120 V Enrichissement, TO-263 iPB AEC-Q101
- Code commande RS:
- 258-3796
- Référence fabricant:
- IPB100N12S305ATMA1
- Marque:
- Infineon
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- Code commande RS:
- 258-3796
- Référence fabricant:
- IPB100N12S305ATMA1
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 100A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 120V | |
| Série | iPB | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 4.8mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 300W | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 139nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 100A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 120V | ||
Série iPB | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 4.8mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 300W | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 139nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
Le transistor de puissance OptiMOS-T d'Infineon est un mode d'amélioration de niveau normal à canal N. Sa température d'utilisation est de 175 °C.
Certifié AEC
MSL1 jusqu'à 260 °C de refusion de crête
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