MOSFET canal N Infineon 100 A 120 V Enrichissement, TO-263 iPB AEC-Q101

Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*

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Code commande RS:
258-3795
Référence fabricant:
IPB100N12S305ATMA1
Marque:
Infineon
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Marque

Infineon

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

100A

Tension Drain Source maximum Vds

120V

Type de Boitier

TO-263

Série

iPB

Type de montage

En surface

Résistance Drain Source maximum Rds

4.8mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

139nC

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

300W

Tension directe Vf

1V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Température d'utilisation maximum

175°C

Normes/homologations

RoHS

Standard automobile

AEC-Q101

Le transistor de puissance OptiMOS-T d'Infineon est un mode d'amélioration de niveau normal à canal N. Sa température d'utilisation est de 175 °C.

Certifié AEC

MSL1 jusqu'à 260 °C de refusion de crête

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