MOSFET P Infineon -120 A -40 V Enrichissement, TO-263 iPB AEC-Q101
- Code commande RS:
- 258-3797
- Référence fabricant:
- IPB120P04P404ATMA2
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 1000 unités)*
948,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 1000 + | 0,948 € | 948,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 258-3797
- Référence fabricant:
- IPB120P04P404ATMA2
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type P | |
| Courant continu de Drain maximum Id | -120A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | -40V | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Série | iPB | |
| Type de montage | En surface | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 3.50mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 1.2V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Température d'utilisation maximum | +175°C | |
| Normes/homologations | RoHS | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type P | ||
Courant continu de Drain maximum Id -120A | ||
Tension Drain Source maximum Vds -40V | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Série iPB | ||
Type de montage En surface | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 3.50mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 1.2V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Température d'utilisation maximum +175°C | ||
Normes/homologations RoHS | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
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