MOSFET canal N Infineon 165 A 80 V Enrichissement, 8 broches, HSOF IAUT AEC-Q101
- Code commande RS:
- 229-1807
- Référence fabricant:
- IAUT165N08S5N029ATMA2
- Marque:
- Infineon
Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*
2 568,00 €
HT
3 082,00 €
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 2000 + | 1,284 € | 2 568,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 229-1807
- Référence fabricant:
- IAUT165N08S5N029ATMA2
- Marque:
- Infineon
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 165A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 80V | |
| Type de Boitier | HSOF | |
| Série | IAUT | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 8 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 2.9mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Normes/homologations | No | |
| Standard automobile | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 165A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 80V | ||
Type de Boitier HSOF | ||
Série IAUT | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 8 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 2.9mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Normes/homologations No | ||
Standard automobile AEC-Q101 | ||
80V, N-Ch, 2,9 mΩ max, MOSFET automobile, TOLL, OptiMOSTM-5
Résumé des caractéristiques
•Canal N - Mode d'enrichissement
•Certifié AEC
•MSL1 soudure par refusion jusqu'à 260 °C
•Température d'utilisation de 175 °C
•Produit écologique (conforme à la directive RoHS)
•Très faible RDS(on)
•Testé 100 % avalanche
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