Transistors MOSFET

Les MOSFET ((Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor), également appelés transistor MOSFET, sont des transistors semiconducteurs en métal-oxyde à effet de champ. Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain. Il fonctionne de manière très semblable à un commutateur et est utilisé pour la commutation ou l'amplification de signaux électroniques.

Ces dispositifs à semiconducteurs sont des circuits intégrés (CI) qui sont montés sur des circuits imprimés. Les transistors MOSFET sont fournis dans une large gamme de types de boîtier standard tels que : DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 et TO-220.

Que sont les modes dappauvrissement et denrichissement ?

Les transistors MOSFET offrent deux modes: appauvrissement et enrichissement.Les transistors MOSFET à appauvrissement fonctionnent comme un interrupteur fermé. Le courant passe lorsqu'aucun courant n'est appliqué. Le flux de courant s'arrête si une tension négative est appliquée.Les transistors MOSFET à enrichissement sont similaires à une résistance variable et sont généralement plus populaire que les transistors MOSFET à appauvrissement. Ils sont fournis en variantes à canal N ou canal P.

Comment fonctionnent les MOSFET ?

Les électrodes sur un boîtier MOSFET sont la source, la grille et le drain. Lorsqu'une tension est appliquée entre les électrodes de grille et de source, le courant peut passer par l'électrode de drain vers l'électrode de source. Lorsque la tension appliquée à la grille change, la résistance entre le drain et la source change également. Plus la tension appliquée est faible, plus la résistance est élevée. A mesure que la tension augmente, la résistance entre le drain et la source diminue.Les transistors MOSFET de puissance sont similaires aux transistors MOSFET standard, mais sont conçus pour gérer un niveau de puissance plus élevé.

Transistors MOSFET à canal N par rapport à canal P

Les transistors MOFET sont fabriqués en silicium dopé de type P ou N.

  • Les transistors MOSFET à canal N contiennent des électrons supplémentaires qui sont libres de se déplacer. C'est le type de canal le plus populaire. Les transistors MOSFET à canal N fonctionnent lorsqu'une charge positive est appliquée à l'électrode de grille.
  • Le substrat des transistors MOSFET à canal P contient des électrons et des trous délectron. Les transistors MOSFET à canal P sont connectés à une tension positive. Ces transistors MOSFET s'activent lorsque la tension fournie à l'électrode de grille est inférieure à celle de la tension source.

Où sont utilisés les transistors MOSFET ?

Les transistors MOSFET sont présents dans de nombreuses applications, telles que les microprocesseurs et d'autres composants de mémoire. Les transistors MOSFET sont le plus couramment utilisés dans les circuits comme commutateurs commandés par la tension.


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Description Prix Type de canal Courant continu de Drain maximum Tension Drain Source maximum Type de boîtier Type de montage Nombre de broche Nombre de broches Résistance Drain Source maximum Mode de canal Tension de seuil maximale de la grille Tension de seuil minimale de la grille Dissipation de puissance maximum Configuration du transistor Tension Grille Source maximum
Code commande RS 919-4876
Référence fabricantIRF520NPBF
MarqueInfineon
0,738 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
N 9,7 A 100 V TO-220AB Traversant 3 - 200 mΩ Enrichissement 4V 2V 48 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 920-8795
Référence fabricantSTP55NF06L
1,121 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
N 55 A 60 V A-220 Traversant 3 - 18 mΩ Enrichissement - 1V 95 W Simple -16 V, +16 V
Code commande RS 541-1180
Référence fabricantIRF520NPBF
MarqueInfineon
0,86 €
la pièce
Unité
N 9,7 A 100 V TO-220AB Traversant 3 - 200 mΩ Enrichissement 4V 2V 48 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 485-7721
Référence fabricantSTP55NF06L
1,326 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 55 A 60 V A-220 Traversant 3 - 18 mΩ Enrichissement - 1V 95 W Simple -16 V, +16 V
Code commande RS 914-8154
Référence fabricantIRF540NPBF
MarqueInfineon
0,819 €
l'unité (par multiple de 20)
Unité
N 33 A 100 V TO-220AB Traversant 3 - 44 mΩ Enrichissement 4V 2V 130 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 919-4794
Référence fabricantIRF540NPBF
MarqueInfineon
0,799 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
N 33 A 100 V TO-220AB Traversant 3 - 44 mΩ Enrichissement 4V 2V 130 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 486-0171
Référence fabricantIRF630
0,906 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 9 A 200 V A-220 Traversant - 3 400 mΩ Enrichissement 4V 2V 75 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 103-2944
Référence fabricantBSS123LT1G
0,037 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 170 mA 100 V SOT-23 CMS 3 - 6 Ω Enrichissement 2.8V - 225 mW Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 545-0135
Référence fabricantBSS123LT1G
0,179 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
N 170 mA 100 V SOT-23 CMS 3 - 6 Ω Enrichissement 2.8V - 225 mW Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 542-9254
Référence fabricantIRF3710SPBF
MarqueInfineon
1,70 €
la pièce
Unité
N 57 A 100 V D2PAK (TO-263) CMS 3 - 23 mΩ Enrichissement 4V 2V 200 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 301-322
Référence fabricantIRLML6402TRPBF
MarqueInfineon
0,342 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
P 3,7 A 20 V SOT-23 CMS 3 - 65 mΩ Enrichissement 1.2V 0.4V 1,3 W Simple -12 V, +12 V
Code commande RS 919-4993
Référence fabricantIRF3710SPBF
MarqueInfineon
1,164 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
N 57 A 100 V D2PAK (TO-263) CMS 3 - 23 mΩ Enrichissement 4V 2V 200 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 919-4722
Référence fabricantIRLML6402TRPBF
MarqueInfineon
0,093 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
P 3,7 A 20 V SOT-23 CMS 3 - 65 mΩ Enrichissement 1.2V 0.4V 1,3 W Simple -12 V, +12 V
Code commande RS 671-0312
Référence fabricant2N7002
0,196 €
l'unité (par multiple de 20)
Unité
N 115 mA 60 V SOT-23 CMS 3 - 7,5 Ω Enrichissement - 1V 200 mW Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 103-2965
Référence fabricantBSS138LT1G
0,034 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 200 mA 50 V SOT-23 CMS 3 - 3,5 Ω Enrichissement 1.5V - 225 mW Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 545-2529
Référence fabricantBSS138LT1G
0,151 €
l'unité (par multiple de 25)
Unité
N 200 mA 50 V SOT-23 CMS 3 - 3,5 Ω Enrichissement 1.5V - 225 mW Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 178-4687
Référence fabricantBSS138LT3G
0,028 €
l'unité (en bobine de 10000)
Unité
- - - - - - - - - - - - - -
Code commande RS 690-0136
Référence fabricantBSS138LT3G
0,151 €
l'unité (par multiple de 25)
Unité
N 200 mA 50 V SOT-23 CMS 3 - 3,5 Ω Enrichissement 1.5V 0.5V 225 mW Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 486-2206
Référence fabricantSTP16NF06
0,766 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 16 A 60 V A-220 Traversant - 3 100 mΩ Enrichissement 4V 2V 45 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 920-8764
Référence fabricantSTP16NF06
0,658 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
N 16 A 60 V A-220 Traversant - 3 100 mΩ Enrichissement - - 45 W Simple -20 V, +20 V