MOSFET N onsemi 500 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-92 BS170
- Code commande RS:
- 671-4736
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-43-724
- Référence fabricant:
- BS170
- Marque:
- onsemi
Prix dégressifs sur quantité
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
2,98 €
HT
3,58 €
TTC
Informations sur le stock actuellement indisponibles. - Veuillez vérifier plus tard
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,298 € | 2,98 € |
| 100 - 240 | 0,257 € | 2,57 € |
| 250 - 490 | 0,222 € | 2,22 € |
| 500 + | 0,196 € | 1,96 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 671-4736
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-43-724
- Référence fabricant:
- BS170
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | Type N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 500mA | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 60V | |
| Type de Boitier | TO-92 | |
| Série | BS170 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 5Ω | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension directe Vf | 0.6V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 1.6nC | |
| Température minimum de fonctionnement | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 830mW | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 5.33mm | |
| Longueur | 5.2mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal Type N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 500mA | ||
Tension Drain Source maximum Vds 60V | ||
Type de Boitier TO-92 | ||
Série BS170 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 5Ω | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension directe Vf 0.6V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.6nC | ||
Température minimum de fonctionnement -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 830mW | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 5.33mm | ||
Longueur 5.2mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N onsemi 500 mA 60 V Enrichissement TO-92 BS170
- MOSFET 1 canal Type N onsemi 0.5 A 60 V TO-92 BS170 Non
- MOSFET petits signaux 1 canal Type N onsemi 0.5 A 60 V TO-92 BS170 Non
- MOSFET petits signaux 1 canal Type N Simple onsemi 0.5 A 60 V N TO-92 BS170 Non
- MOSFET N onsemi 200 mA 60 V Enrichissement TO-92 2N7000
- MOSFET N Microchip 230 mA 60 V Enrichissement TO-92
- MOSFET N onsemi 0.3 A 600 V Enrichissement TO-92 QFET
- MOSFET N onsemi 92 A 150 V Enrichissement TO-263 PowerTrench
