Références fabricant

MOSFET canal N onsemi 500 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-92 BS170

Code commande RS:: 671-4736
Numéro d'article Distrelec:: 304-43-724
Référence fabricant:: BS170
Marque:: onsemi

MOSFET canal N onsemi 500 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-92 BS170

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*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 671-4736
Numéro d'article Distrelec:: 304-43-724
Référence fabricant:: BS170
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	500mA
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Type de Boitier	TO-92
	Série	BS170
	Type de montage	Traversant
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	5Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	1.6nC
	Dissipation de puissance maximum Pd	830mW
	Tension directe Vf	0.6V
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Largeur	4.19mm
	Normes/homologations	No
	Longueur	5.2mm
	Hauteur	5.33mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 500mA
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Type de Boitier TO-92
	Série BS170
	Type de montage Traversant
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 5Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.6nC
	Dissipation de puissance maximum Pd 830mW
	Tension directe Vf 0.6V
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Largeur 4.19mm
	Normes/homologations No
	Longueur 5.2mm
	Hauteur 5.33mm
	Standard automobile Non

Datasheet

Pays d'origine :: CN

Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor

Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

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