MOSFET canal N onsemi 92 A 150 V Enrichissement, 3 broches, TO-263 PowerTrench
- Code commande RS:
- 809-0802
- Référence fabricant:
- FDB110N15A
- Marque:
- onsemi
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- Code commande RS:
- 809-0802
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- FDB110N15A
- Marque:
- onsemi
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 92A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 150V | |
| Série | PowerTrench | |
| Type de Boitier | TO-263 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 11mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 234W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.25V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 20V | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 47nC | |
| Température d'utilisation maximum | 175°C | |
| Largeur | 9.65mm | |
| Longueur | 10.67mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Hauteur | 4.83mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 92A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 150V | ||
Série PowerTrench | ||
Type de Boitier TO-263 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 11mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 234W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.25V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 20V | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 47nC | ||
Température d'utilisation maximum 175°C | ||
Largeur 9.65mm | ||
Longueur 10.67mm | ||
Normes/homologations No | ||
Hauteur 4.83mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, plus de 60 A, Fairchild Semiconductor
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
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