MOSFET onsemi canal N, D2PAK (TO-263) 29 A 150 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 759-8964
- Référence fabricant:
- FDB2572
- Marque:
- onsemi
En cours d'approvisionnement
Prix pour l'unité (par multiple de 2)
1,705 €
HT
2,046 €
TTC
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 1,705 € | 3,41 € |
| 10 - 98 | 1,445 € | 2,89 € |
| 100 - 248 | 1,115 € | 2,23 € |
| 250 - 498 | 1,095 € | 2,19 € |
| 500 + | 0,935 € | 1,87 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 759-8964
- Référence fabricant:
- FDB2572
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistor MOSFET à canal N PowerTrench®, de 20 A à 59,9 A, Fairchild Semiconductor
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 29 A |
| Tension Drain Source maximum | 150 V |
| Série | PowerTrench |
| Type de boîtier | D2PAK (TO-263) |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 146 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
| Dissipation de puissance maximum | 135 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Charge de Grille type @ Vgs | 26 nC @ 10 V |
| Matériau du transistor | Si |
| Largeur | 11.33mm |
| Longueur | 10.67mm |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 4.83mm |
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