MOSFET onsemi canal N, D2PAK (TO-263) 101 A 150 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 230-9080
- Référence fabricant:
- NTB7D3N15MC
- Marque:
- onsemi
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
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800 + | 1,67 € | 1 336,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 230-9080
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- NTB7D3N15MC
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Le MOSFET on Semiconductor - MOSFET à tranchée de puissance à grille blindée à canal N qui est doté d'une tension de drain à source de 150 V.
Performances de commutation optimisées
RDS(on) max. = 7,3 mΩ à VGS = 10 V, ID = 62 A.
QRR le plus faible de l'industrie et diode Body-Test plus souple pour une commutation à faible bruit supérieure
QRR 50 % plus faible que les autres fournisseurs de MOSFET
Haut rendement avec pointe de commutation et IEM plus faibles
Bruit de commutation/IEM plus faible
FOM de commutation amélioré, en particulier Qgd
Testé à 100 % UIL
Pas besoin ou moins de snubber
RDS(on) max. = 7,3 mΩ à VGS = 10 V, ID = 62 A.
QRR le plus faible de l'industrie et diode Body-Test plus souple pour une commutation à faible bruit supérieure
QRR 50 % plus faible que les autres fournisseurs de MOSFET
Haut rendement avec pointe de commutation et IEM plus faibles
Bruit de commutation/IEM plus faible
FOM de commutation amélioré, en particulier Qgd
Testé à 100 % UIL
Pas besoin ou moins de snubber
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 101 A |
Tension Drain Source maximum | 150 V |
Série | NTB7D |
Type de boîtier | D2PAK (TO-263) |
Type de montage | CMS |
Nombre de broches | 3 |
Résistance Drain Source maximum | 0,073 Ω |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 4.5V |
Matériau du transistor | Si |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
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