Références fabricant

MOSFET canal N onsemi 500 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-92 BS170

Code commande RS:: 124-1745
Référence fabricant:: BS170
Marque:: onsemi

MOSFET canal N onsemi 500 mA 60 V Enrichissement, 3 broches, TO-92 BS170

Prix dégressifs sur quantité

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 sachet de 1000 unités)*

139,00 €

167,00 €

Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €

Temporairement en rupture de stock

10 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 03 février 2027
Plus 10 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 17 mars 2027

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	Le Sachet*
1000 - 2000	0,139 €	139,00 €
3000 +	0,112 €	112,00 €

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:: 124-1745
Référence fabricant:: BS170
Marque:: onsemi

Caractéristiques techniques

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Type de canal	N
	Type de produit	MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id	500mA
	Tension Drain Source maximum Vds	60V
	Série	BS170
	Type de Boitier	TO-92
	Type de montage	Traversant
	Nombre de broches	3
	Résistance Drain Source maximum Rds	5Ω
	Mode de canal	Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs	-20V, +20V
	Dissipation de puissance maximum Pd	830mW
	Charge de porte typique Qg @ Vgs	1.6nC
	Température minimum de fonctionnemen	-55°C
	Tension directe Vf	600mV
	Température d'utilisation maximum	150°C
	Largeur	4.19mm
	Normes/homologations	No
	Hauteur	5.33mm
	Longueur	5.2mm
	Standard automobile	Non

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Type de canal N
	Type de produit MOSFET
	Courant continu de Drain maximum Id 500mA
	Tension Drain Source maximum Vds 60V
	Série BS170
	Type de Boitier TO-92
	Type de montage Traversant
	Nombre de broches 3
	Résistance Drain Source maximum Rds 5Ω
	Mode de canal Enrichissement
	Tension maximale de source de la grille Vgs -20V, +20V
	Dissipation de puissance maximum Pd 830mW
	Charge de porte typique Qg @ Vgs 1.6nC
	Température minimum de fonctionnemen -55°C
	Tension directe Vf 600mV
	Température d'utilisation maximum 150°C
	Largeur 4.19mm
	Normes/homologations No
	Hauteur 5.33mm
	Longueur 5.2mm
	Standard automobile Non

Datasheet

Pays d'origine :: CN

Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor

Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.

Transistors MOSFET, ON Semi

On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.

Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.