MOSFET N IXYS 360 A 100 V Enrichissement, 4 broches, SOT-227 GigaMOS Trench HiperFET

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Code commande RS:
125-8041
Numéro d'article Distrelec:
302-53-370
Référence fabricant:
IXFN360N10T
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Type de produit

MOSFET

Type de canal

Type N

Courant continu de Drain maximum Id

360A

Tension Drain Source maximum Vds

100V

Type de Boitier

SOT-227

Série

GigaMOS Trench HiperFET

Type de montage

Surface

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

2.6mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Dissipation de puissance maximum Pd

830W

Charge de porte typique Qg @ Vgs

525nC

Température minimum de fonctionnement

-55°C

Tension directe Vf

1.2V

Température d'utilisation maximum

175°C

Hauteur

9.6mm

Longueur

38.23mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

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