MOSFET canal N IXYS 24 A 1 kV Enrichissement, 4 broches, SOT-227 HiperFET

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Code commande RS:
194-091
Référence fabricant:
IXFN24N100
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

24A

Tension Drain Source maximum Vds

1kV

Série

HiperFET

Type de Boitier

SOT-227

Type de montage

Panneau

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

390mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Dissipation de puissance maximum Pd

568W

Tension directe Vf

1.5V

Tension maximale de source de la grille Vgs

20V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

267nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Largeur

25.42mm

Normes/homologations

No

Longueur

38.23mm

Hauteur

9.6mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™


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