MOSFET canal N IXYS 66 A 500 V Enrichissement, 4 broches, SOT-227 HiperFET, Polar

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194-029
Numéro d'article Distrelec:
302-53-378
Référence fabricant:
IXFN80N50P
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

66A

Tension Drain Source maximum Vds

500V

Type de Boitier

SOT-227

Série

HiperFET, Polar

Type de montage

Panneau

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

65mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Charge de porte typique Qg @ Vgs

195nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.5V

Dissipation de puissance maximum Pd

700W

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

38.2mm

Largeur

25.07mm

Hauteur

9.6mm

Normes/homologations

No

Standard automobile

Non

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