MOSFET canal N IXYS 66 A 500 V Enrichissement, 4 broches, SOT-227 HiperFET, Polar
- Code commande RS:
- 920-0745
- Référence fabricant:
- IXFN80N50P
- Marque:
- IXYS
Sous-total (1 tube de 10 unités)*
268,63 €
HT
322,36 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 60 unité(s) expédiée(s) à partir du 16 juin 2027
- Plus 20 unité(s) expédiée(s) à partir du 07 juillet 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 10 + | 26,863 € | 268,63 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 920-0745
- Référence fabricant:
- IXFN80N50P
- Marque:
- IXYS
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 66A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 500V | |
| Série | HiperFET, Polar | |
| Type de Boitier | SOT-227 | |
| Type de montage | Panneau | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 65mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 700W | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 195nC | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 38.2mm | |
| Hauteur | 9.6mm | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 25.07mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 66A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 500V | ||
Série HiperFET, Polar | ||
Type de Boitier SOT-227 | ||
Type de montage Panneau | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 65mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 700W | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 195nC | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 38.2mm | ||
Hauteur 9.6mm | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 25.07mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Polar™
Transistors MOSFET de puissance à canal N avec diode intrinsèque rapide (HiPerFET™) d'IXYS
Transistors MOSFET, IXYS
Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS
Nos clients ont également consulté
- MOSFET canal N IXYS 66 A 500 V Enrichissement SOT-227 HiperFET, Polar
- MOSFET canal N IXYS 200 A 100 V Enrichissement SOT-227 Polar HiPerFET
- MOSFET canal N IXYS 53 A 800 V Enrichissement SOT-227 HiperFET, Polar
- MOSFET canal N IXYS 72 A 600 V Enrichissement SOT-227 HiperFET, Polar
- MOSFET canal N IXYS 40 A 600 V Enrichissement SOT-227 HiperFET, Polar
- MOSFET canal N IXYS 61 A 500 V Enrichissement SOT-227 HiperFET, Polar
- MOSFET canal N IXYS 115 A 300 V Enrichissement SOT-227 HiperFET, Polar
- MOSFET canal N IXYS 86 A 300 V Enrichissement SOT-227 HiperFET, Polar