MOSFET canal N IXYS 82 A 500 V Enrichissement, 4 broches, SOT-227 HiperFET, Q3-Class

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Code commande RS:
168-4752
Référence fabricant:
IXFN100N50Q3
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

82A

Tension Drain Source maximum Vds

500V

Série

HiperFET, Q3-Class

Type de Boitier

SOT-227

Type de montage

Panneau

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

49mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Tension maximale de source de la grille Vgs

30V

Tension directe Vf

1.5V

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

255nC

Dissipation de puissance maximum Pd

960W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Hauteur

9.6mm

Largeur

25.07mm

Longueur

38.23mm

Standard automobile

Non

Pays d'origine :
US

Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Q3


Les transistors MOSFET de puissance IXYS de la série HiperFET™ Q3 sont adaptés aux applications de commutation dure et de mode de résonance. Ils offrent une faible charge de grille et une robustesse exceptionnelle. Les circuits sont dotés d'une diode intrinsèque rapide et sont disponibles dans de nombreux boîtiers standard, notamment des boîtiers isolés avec des valeurs nominales pouvant atteindre 1 100 V et 70 A. Les applications typiques incluent les convertisseurs CC/CC, les chargeurs de batterie, les alimentations à découpage et à mode de résonance, les choppers c.c. et les contrôleurs de température et d'éclairage.

Diode de redressement intrinsèque rapide

Faible RDS(on) et QG (charge de grille)

Grille à faible résistance intrinsèque

Boîtier standard

Boîtier à faible inductance

Puissance élevée et encombrement réduit.

Transistors MOSFET, IXYS


Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS

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