MOSFET 1 canal N Simple IXYS 82 A 600 V Enrichissement, 3 broches, PLUS264 HiperFET, Q3-Class
- Code commande RS:
- 801-1370
- Référence fabricant:
- IXFB82N60Q3
- Marque:
- IXYS
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- Code commande RS:
- 801-1370
- Référence fabricant:
- IXFB82N60Q3
- Marque:
- IXYS
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Type de canal | N | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 82A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Type de Boitier | PLUS264 | |
| Série | HiperFET, Q3-Class | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 75mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.56KW | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Longueur | 20.29mm | |
| Largeur | 5.31mm | |
| Hauteur | 26.59mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Type de canal N | ||
Type de produit MOSFET | ||
Courant continu de Drain maximum Id 82A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Type de Boitier PLUS264 | ||
Série HiperFET, Q3-Class | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 75mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.56KW | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Longueur 20.29mm | ||
Largeur 5.31mm | ||
Hauteur 26.59mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
Transistor MOSFET de puissance à canal N, série IXYS HiperFETTM Q3
Les transistors MOSFET de puissance HiperFETTM de classe Q3 d'IXYS sont adaptés aux applications à commutation rigide et en mode résonant, et offrent une charge de grille faible avec une robustesse exceptionnelle. Les dispositifs intègrent une diode intrinsèque rapide et sont disponibles dans une grande variété de boîtiers standard, y compris des types isolés, avec des valeurs nominales jusqu'à 1 100 V et 70 A. Les applications typiques incluent les convertisseurs c.c.-c.c., les chargeurs de batterie, les alimentations à découpage et à résonance, les interrupteurs c.c., le contrôle de la température et de l'éclairage.
Diode redresseur intrinsèque rapide
Faible RDS(on) et QG (charge de grille)
Faible résistance intrinsèque de la grille
Boîtiers standard
Faible inductance d'emballage
Haute densité de puissance
Transistors MOSFET, IXYS
Une large gamme de dispositifs MOSFET de puissance discrets avancés de IXYS
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