MOSFET 1 canal N Simple IXYS 82 A 600 V Enrichissement, 3 broches, PLUS264 HiperFET, Q3-Class
- Code commande RS:
- 168-4696
- Référence fabricant:
- IXFB82N60Q3
- Marque:
- IXYS
Sous-total (1 tube de 25 unités)*
868,10 €
HT
1 041,73 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 30 août 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 25 + | 34,724 € | 868,10 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 168-4696
- Référence fabricant:
- IXFB82N60Q3
- Marque:
- IXYS
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 82A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 600V | |
| Série | HiperFET, Q3-Class | |
| Type de Boitier | PLUS264 | |
| Type de montage | Traversant | |
| Nombre de broches | 3 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 75mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | -30V, +30V | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.56KW | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Configuration du transistor | Simple | |
| Hauteur | 26.59mm | |
| Largeur | 5.31mm | |
| Longueur | 20.29mm | |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 82A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 600V | ||
Série HiperFET, Q3-Class | ||
Type de Boitier PLUS264 | ||
Type de montage Traversant | ||
Nombre de broches 3 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 75mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs -30V, +30V | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.56KW | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Configuration du transistor Simple | ||
Hauteur 26.59mm | ||
Largeur 5.31mm | ||
Longueur 20.29mm | ||
Nombre d'éléments par circuit 1 | ||
- Pays d'origine :
- US
Transistor MOSFET de puissance à canal N, série IXYS HiperFETTM Q3
Les transistors MOSFET de puissance HiperFETTM de classe Q3 d'IXYS sont adaptés aux applications à commutation rigide et en mode résonant, et offrent une charge de grille faible avec une robustesse exceptionnelle. Les dispositifs intègrent une diode intrinsèque rapide et sont disponibles dans une grande variété de boîtiers standard, y compris des types isolés, avec des valeurs nominales jusqu'à 1 100 V et 70 A. Les applications typiques incluent les convertisseurs c.c.-c.c., les chargeurs de batterie, les alimentations à découpage et à résonance, les interrupteurs c.c., le contrôle de la température et de l'éclairage.
Diode redresseur intrinsèque rapide
Faible RDS(on) et QG (charge de grille)
Faible résistance intrinsèque de la grille
Boîtiers standard
Faible inductance d'emballage
Haute densité de puissance
Transistors MOSFET, IXYS
Une large gamme de dispositifs MOSFET de puissance discrets avancés de IXYS
Nos clients ont également consulté
- MOSFET 1 canal N Simple IXYS 82 A 600 V Enrichissement PLUS264 HiperFET, Q3-Class
- MOSFET canal N IXYS 82 A 500 V Enrichissement SOT-227 HiperFET, Q3-Class
- MOSFET canal N IXYS 45 A 500 V Enrichissement ISOPLUS247 HiperFET, Q3-Class
- MOSFET canal N IXYS 10 A 1 kV Enrichissement ISOPLUS247 HiperFET, Q3-Class
- MOSFET canal N IXYS 18 A 1 kV Enrichissement ISOPLUS247 HiperFET, Q3-Class
- MOSFET canal N IXYS 64 A 500 V Enrichissement PLUS247 HiperFET, Q3-Class
- MOSFET canal N IXYS 32 A 800 V Enrichissement PLUS247 HiperFET, Q3-Class
- MOSFET canal N IXYS 32 A 1 kV Enrichissement PLUS247 HiperFET, Q3-Class