MOSFET canal N IXYS 82 A 500 V Enrichissement, 4 broches, SOT-227 HiperFET, Q3-Class
- Code commande RS:
- 804-7565
- Numéro d'article Distrelec:
- 302-53-357
- Référence fabricant:
- IXFN100N50Q3
- Marque:
- IXYS
Sous-total (1 unité)*
37,12 €
HT
44,54 €
TTC
Frais de traitement offerts pour les commandes supérieures à 50,00 €
En stock
- Plus 5 unité(s) expédiée(s) à partir du 21 septembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 + | 37,12 € |
*Prix donné à titre indicatif
- Code commande RS:
- 804-7565
- Numéro d'article Distrelec:
- 302-53-357
- Référence fabricant:
- IXFN100N50Q3
- Marque:
- IXYS
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 82A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 500V | |
| Type de Boitier | SOT-227 | |
| Série | HiperFET, Q3-Class | |
| Type de montage | Panneau | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 49mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 255nC | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 960W | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.5V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 25.07mm | |
| Longueur | 38.23mm | |
| Hauteur | 9.6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 82A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 500V | ||
Type de Boitier SOT-227 | ||
Série HiperFET, Q3-Class | ||
Type de montage Panneau | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 49mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 255nC | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 960W | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.5V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 25.07mm | ||
Longueur 38.23mm | ||
Hauteur 9.6mm | ||
Standard automobile Non | ||
Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Q3
Les transistors MOSFET de puissance IXYS de la série HiperFET™ Q3 sont adaptés aux applications de commutation dure et de mode de résonance. Ils offrent une faible charge de grille et une robustesse exceptionnelle. Les circuits sont dotés d'une diode intrinsèque rapide et sont disponibles dans de nombreux boîtiers standard, notamment des boîtiers isolés avec des valeurs nominales pouvant atteindre 1 100 V et 70 A. Les applications typiques incluent les convertisseurs CC/CC, les chargeurs de batterie, les alimentations à découpage et à mode de résonance, les choppers c.c. et les contrôleurs de température et d'éclairage.
Diode de redressement intrinsèque rapide
Faible RDS(on) et QG (charge de grille)
Grille à faible résistance intrinsèque
Boîtier standard
Boîtier à faible inductance
Puissance élevée et encombrement réduit.
Transistors MOSFET, IXYS
Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS
Nos clients ont également consulté
- MOSFET N IXYS 82 A 500 V Enrichissement SOT-227 HiperFET, Q3-Class
- MOSFET N IXYS 28 A 1 kV Enrichissement SOT-227 HiperFET, Q3-Class
- MOSFET N IXYS 63 A 500 V Enrichissement SOT-227 HiperFET, Q3-Class
- MOSFET N IXYS 37 A 800 V Enrichissement SOT-227 HiperFET, Q3-Class
- MOSFET 1 canal Type N Simple IXYS 38 A 1000 V Enrichissement SOT-227 HiperFET, Q3-Class
- MOSFET 1 canal Type N Simple IXYS 82 A 600 V Enrichissement PLUS264 HiperFET, Q3-Class
- MOSFET N IXYS 32 A 1 kV Enrichissement PLUS247 HiperFET, Q3-Class
- MOSFET N IXYS 45 A 500 V Enrichissement ISOPLUS247 HiperFET, Q3-Class