MOSFET canal N IXYS 64 A 500 V Enrichissement, 3 broches, PLUS247 HiperFET, Q3-Class

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Code commande RS:
801-1503
Numéro d'article Distrelec:
302-53-408
Référence fabricant:
IXFX64N50Q3
Marque:
IXYS
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Marque

IXYS

Type de produit

MOSFET

Type de canal

N

Courant continu de Drain maximum Id

64A

Tension Drain Source maximum Vds

500V

Type de Boitier

PLUS247

Série

HiperFET, Q3-Class

Type de montage

Traversant

Nombre de broches

3

Résistance Drain Source maximum Rds

85mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Tension directe Vf

1.4V

Dissipation de puissance maximum Pd

1KW

Tension maximale de source de la grille Vgs

-30V, +30V

Charge de porte typique Qg @ Vgs

145nC

Température d'utilisation maximum

150°C

Longueur

16.13mm

Normes/homologations

No

Hauteur

21.34mm

Largeur

5.21mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™ Q3


Les transistors MOSFET de puissance IXYS de la série HiperFET™ Q3 sont adaptés aux applications de commutation dure et de mode de résonance. Ils offrent une faible charge de grille et une robustesse exceptionnelle. Les circuits sont dotés d'une diode intrinsèque rapide et sont disponibles dans de nombreux boîtiers standard, notamment des boîtiers isolés avec des valeurs nominales pouvant atteindre 1 100 V et 70 A. Les applications typiques incluent les convertisseurs CC/CC, les chargeurs de batterie, les alimentations à découpage et à mode de résonance, les choppers c.c. et les contrôleurs de température et d'éclairage.

Diode de redressement intrinsèque rapide

Faible RDS(on) et QG (charge de grille)

Grille à faible résistance intrinsèque

Boîtier standard

Boîtier à faible inductance

Puissance élevée et encombrement réduit.

Transistors MOSFET, IXYS


Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS

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