MOSFET IXYS canal N, SOT-227 66 A 600 V, 4 broches

Name: MOSFET IXYS canal N, SOT-227 66 A 600 V, 4 broches
Brand: IXYS
SKU: 804-7603
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Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	66 A
Tension Drain Source maximum	600 V
Série	HiperFET, Polar3
Type de boîtier	SOT-227
Type de montage	Montage à visser
Nombre de broches	4
Résistance Drain Source maximum	70 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	5V
Dissipation de puissance maximum	960 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
Largeur	25.07mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Charge de Grille type @ Vgs	190 nC @ 10 V
Matériau du transistor	Si
Longueur	38.23mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Température de fonctionnement minimum	-55 °C
Hauteur	9.6mm