MOSFET IXYS canal N, SOT-227 170 A 650 V, 4 broches

RDS(ON) et Qg faibles
Diode intégrée rapide
Robustesse de dv/dt
Résistance aux avalanches
Boîtier à faible inductance
Boîtiers standard internationaux
Alimentations à mode de résonance
Ballaste de lampe à décharge haute intensité (HID)
Commandes de moteur c.a. et c.c.
Convertisseurs c.c.-c.c.
Robotique et commande servo
Chargeurs de batterie
Inverseurs solaires à 3 étages
Eclairage LED
Drones
Rendement plus élevé
Puissance élevée et encombrement réduit.
Facile à monter.
Gain de place