MOSFET canal N IXYS 36 A 1 kV Enrichissement, 4 broches, SOT-227 HiperFET

Bénéficiez d'une remise sur les achats en gros

Ajoutez 2 de plus pour économiser 5%

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 unité)*

76,35 €

HT

91,62 €

TTC

Add to Basket
Sélectionner ou entrer la quantité
En stock
  • 35 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité
Prix par unité
Économie
1 - 176,35 €-
2 - 472,53 €5%
5 +68,72 €9%

*Prix donné à titre indicatif

Code commande RS:
193-795
Référence fabricant:
IXFN36N100
Marque:
IXYS
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

IXYS

Type de canal

N

Type de produit

MOSFET

Courant continu de Drain maximum Id

36A

Tension Drain Source maximum Vds

1kV

Série

HiperFET

Type de Boitier

SOT-227

Type de montage

Panneau

Nombre de broches

4

Résistance Drain Source maximum Rds

240mΩ

Mode de canal

Enrichissement

Température minimum de fonctionnemen

-55°C

Charge de porte typique Qg @ Vgs

380nC

Tension maximale de source de la grille Vgs

-20V, +20V

Tension directe Vf

1.3V

Dissipation de puissance maximum Pd

700W

Température d'utilisation maximum

150°C

Normes/homologations

No

Largeur

25.42mm

Hauteur

9.6mm

Longueur

38.23mm

Standard automobile

Non

Transistor MOSFET de puissance à canal N, IXYS série HiperFET™


Transistors MOSFET, IXYS


Une large gamme de dispositifs de puissance discrets avancés MOSFET d'IXYS

Nos clients ont également consulté

Soyez informé.e de nos dernières nouveautés et actualités

Votre adresse e-mail

En m'inscrivant à la newsletter, j'accepte la politique de protection des données de RS France. Je pourrai me désinscrire à tout moment.