MOSFET canal N IXYS 90 A 850 V Enrichissement, 4 broches, SOT-227 HiperFET
- Code commande RS:
- 146-4248
- Référence fabricant:
- IXFN90N85X
- Marque:
- IXYS
Actuellement indisponible
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- Code commande RS:
- 146-4248
- Référence fabricant:
- IXFN90N85X
- Marque:
- IXYS
Caractéristiques techniques
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Type de produit | MOSFET | |
| Type de canal | N | |
| Courant continu de Drain maximum Id | 90A | |
| Tension Drain Source maximum Vds | 850V | |
| Série | HiperFET | |
| Type de Boitier | SOT-227 | |
| Type de montage | En surface | |
| Nombre de broches | 4 | |
| Résistance Drain Source maximum Rds | 41mΩ | |
| Mode de canal | Enrichissement | |
| Dissipation de puissance maximum Pd | 1.2KW | |
| Charge de porte typique Qg @ Vgs | 340nC | |
| Température minimum de fonctionnemen | -55°C | |
| Tension directe Vf | 1.4V | |
| Tension maximale de source de la grille Vgs | 30V | |
| Température d'utilisation maximum | 150°C | |
| Normes/homologations | No | |
| Largeur | 25.07mm | |
| Longueur | 38.23mm | |
| Hauteur | 9.6mm | |
| Standard automobile | Non | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Type de produit MOSFET | ||
Type de canal N | ||
Courant continu de Drain maximum Id 90A | ||
Tension Drain Source maximum Vds 850V | ||
Série HiperFET | ||
Type de Boitier SOT-227 | ||
Type de montage En surface | ||
Nombre de broches 4 | ||
Résistance Drain Source maximum Rds 41mΩ | ||
Mode de canal Enrichissement | ||
Dissipation de puissance maximum Pd 1.2KW | ||
Charge de porte typique Qg @ Vgs 340nC | ||
Température minimum de fonctionnemen -55°C | ||
Tension directe Vf 1.4V | ||
Tension maximale de source de la grille Vgs 30V | ||
Température d'utilisation maximum 150°C | ||
Normes/homologations No | ||
Largeur 25.07mm | ||
Longueur 38.23mm | ||
Hauteur 9.6mm | ||
Standard automobile Non | ||
Les transistors MOSFET de puissance classe X Ultra-Junction 850 V avec diodes intégrées rapides représentent une nouvelle gamme de produits de semi-conducteurs de puissance de IXYS Corporation. Ces dispositifs robustes offrent la plus faible résistance à l'état passant du secteur, ce qui permet une très forte densité de puissance dans les applications de conversion de puissance haute tension. Développés à partir du principe de compensation de charge et d'une technologie de procédé propriétaire, les nouveaux dispositifs 850 V présentent les plus faible résistances à l'état passant (33 milliohms dans le boîtier SOT-227 et 41 milliohms dans le PLUS264, par exemple), ainsi que de faibles charges de grille et d'excellentes performances dv/dt.
RDS(ON) de résistance et charge de grille Qg très faibles
Diode intégrée rapide
Robustesse de dv/dt
Résistance aux avalanches
Boîtier à faible inductance
Boîtiers standard internationaux
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